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A42MX36-1BGG272M,现场可编程门阵列(FPGA),54K Gates,1184 Cells,90MHz/151MHz,0.45um (CMOS) Technology,3.3V/5V,由Microsemi原厂生产,BGA-272封装,详细参数为:所属产品系列:42MX,逻辑门数量(Gates):54000...
LMV358Q1MA/NOPB ,汽车类双路、低压、轨到轨输出运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:1 MHz,典型转换速率:1@5V V/us,轨至轨输出,最大供电电流:0.44@5V mA,最大输入失调电压:7@5V mV,最大输入偏置电流:0.25@5V uA,典型...
EPF81500AQC240-3N,现场可编程门阵列(FPGA),16K Gates,1296 Cells,125MHz,CMOS Technology,5V,由Altera原厂生产,PQFP-240封装,详细参数为:所属产品系列:FLEX 8000,逻辑门数量(Gates):16000,逻辑单元数量(Cells):1...
TCJC475M063R0200,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 6032-28,C型,参数:容值: 4.7 uF;电压: 63 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.2 Ohm;外形尺寸: 6*2.6*3.2 mm;工作温度范围: -55 to 105 ℃.咨询购买请致电:0755-83897...
SMCJ170CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 170V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.5 A; 最大反向漏电流: 1 ...
TLJS476M010R1500,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 3216-12,S型,参数:容值: 47 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 1.5 Ohm;外形尺寸: 3.2*1.2*1.6 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8389...
XC4028XL-1HQ240I,现场可编程门阵列(FPGA),28K Gates,2432 Cells,0.35um Technology,3.3V,由Xilinx原厂生产,HSPQFP-240 EP封装,详细参数为:所属产品系列:XC4000X,逻辑门数量(Gates):28000,逻辑单元数量(Cells):24...
1N6125AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 47.1V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.9 A; 最大反向漏电流...
LMH6622MA ,双路宽带、低噪声、160MHz 运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8 N封装,参数为:2通道,电压反馈放大器,典型增益带宽:160 MHz,典型转换速率:85@±6V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:12@±6V mA,最大输入失调电压:1.2@±6V mV,最大输入偏置电流:10@±6V...
R573323100,射频开关,RF Switch SPnT 0MHz to 3GHz,品牌:Radiall,封装:RF,咨询购买请致电:0755-83897562
LM1117DT-ADJ/NOPB,800mA 低压降线性稳压器,品牌:TI,封装:TO252-3,详细参数为:电压极性:Positive,类型:Linear,输出数:1,最大输入电压:15 V,最大输出电流:0.8 A,输出电压:1.25 to 13.8 V,典型压差电压@电流:1.1@100mA|1.15@500m...
T491D106K035AT,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 10 uF;电压: 35 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 1 Ohm;外形尺寸: 7.3*2.8*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-838975...
MJD340TF,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:30@50mA@10V; 最大集电极基极电压:300 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 最大功率耗散...
5SGSMD4E3H29I4N,现场可编程门阵列(FPGA),360000 Cells,28nm 0.85V,由Altera原厂生产,HBGA-780封装,详细参数为:所属产品系列:Stratix V GS,逻辑单元数量(Cells):360000,逻辑单元数量(Units):360000,寄存器数量(Register...
AX1000-CGS624M,现场可编程门阵列(FPGA),612K Gates,12096 Cells,649MHz,0.15um (CMOS) Technology,1.5V,由Microsemi原厂生产,CCGA-624封装,详细参数为:所属产品系列:Axcelerator,逻辑门数量(Gates):612000...
THS4271D ,超快超低失真高速放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:1通道,电压反馈放大器,典型增益带宽:350 MHz,典型转换速率:750@5V V/us,轨至轨:No,最大输入失调电压:10@5V mV,最大输入偏置电流:15@5V uA,典型输入噪声电压密度:3@5V nV/rtHz,最低CMR...
R570F23000,射频开关,RF Switch SPDT 0MHz to 26.5GHz 55dB,品牌:Radiall,封装:RF,咨询购买请致电:0755-83897562
INA141UAE4 ,精密低功耗 G = 10,100 仪表放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:1 路仪器仪表放大器, 电源类型:Dual,最小双电源电压:±2.25 V,最大双电源电压:±18 V,温度范围:-40 to 85 ℃,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE120A-B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 102V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.1 A; 最大反向漏电流...
M1A3P400-FG484I,PROASIC3,由Microsemi原厂生产,FBGA-484封装,详细参数为:,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
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