CESD12VAP
CESD12VAP,贴片TVS二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Vrwm=12V,Min=13.3V,Max=16.5V,Ir=1uA,It=1mA,Vc=24V,Ipp=9A,C=45+pF,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
OPA4234U/2K5
OPA4234U/2K5 ,低功耗、精密单电源运算放大器,TI原厂生产,SOIC-14封装,参数为:4通道,通用放大器,典型增益带宽:0.35 MHz,典型转换速率:0.2@5V V/us,轨至轨:No,最大输入失调电压:0.25@5V mV,最大输入偏置电流:0.05@5V uA,典型输入噪声电压密度:25@5V n...
MPXHZ6115A6U
MPXHZ6115A6U,力敏传感器,由FREESCALE原厂生产,DIP4封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STM32L151V8H6
STM32L151V8H6,单片机，微控制器，32MHz，32位，64KB闪存，10K RAM内存,品牌:ST,封装:100-LQFP,参数:MCU,32MHz,32Bit,64KB Flash,10K RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
2SD2661T100
2SD2661T100,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:MPT-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:270@200mA@2V; 最大工作频率:360(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.18@50mA@1A ...
T494B686K004AT
T494B686K004AT,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 3528-21,B型,参数:容值: 68 uF;电压: 4 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 2 Ohm;外形尺寸: 3.5*1.9*2.8 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8389756...
AGLN060V5-VQ100I
AGLN060V5-VQ100I,现场可编程门阵列(FPGA),60K Gates,130nm (CMOS) Technology,1.5V,由Microsemi原厂生产,VQFP-100封装,详细参数为:所属产品系列:IGLOO nano,逻辑门数量(Gates):60000,系统门数量(System Gates):...
BZW04-5V8BHE3
BZW04-5V8BHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5.8V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 38 A; 最大反向漏电流:...
T491D476M025AT7280
T491D476M025AT7280,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 47 uF;电压: 25 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.7 Ohm;外形尺寸: 7.3*2.8*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-...
T409H476K010MCT200
T409H476K010MCT200,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: H型,参数:容值: 47 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.9 Ohm;外形尺寸: 7.24*2.79*3.81 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897...
ESD7471N2T5G
ESD7471N2T5G,ESD静电抑制器,TVS二极管,品牌:ON,封装:XDFN-2,参数:类型:TVS; 配置:Single; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:15 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:20 kV; 最大工作电压:5.3 V; 最大漏电流:0.05 ...
G8P1A4PDC48BYOMZ
G8P1A4PDC48BYOMZ,继电器,SPST-NO,20ADC/30AAC,48VDC,2.48KOhm,品牌:Omron,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:20DC|30AC A; DC直流线圈电压:48 V; 线圈电流:19 mA; 线圈电阻:2.48 KOhm;...
ULN2003ANSRE4
ULN2003ANSRE4,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Surface Mou...
1N6048A
1N6048A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 20V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 45 A; 最大反向漏电流: 5 uA...
TCJD685M050R0120
TCJD685M050R0120,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 6.8 uF;电压: 50 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.12 Ohm;外形尺寸: 7.3*2.9*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 105 ℃.咨询购买请致电:0755-83...
LMH6626MAX
LMH6626MAX ,单/双路超低噪声宽带运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8 N封装,参数为:2通道,电压反馈放大器,典型转换速率:360@±6V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:32@±6V mA,最大输入失调电压:0.5@±6V mV,最大输入偏置电流:20@±6V uA,典型输入噪声电压密度:1@±6...
PESD3V3S4UF,115
PESD3V3S4UF,115,ESD静电抑制器,TVS二极管,品牌:NXP,封装:XSON-6,参数:类型:TVS; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:11 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:30@Contact Disc/10@HBM kV; 最大工作电压:3.3 ...
TPSE227M016R0100
TPSE227M016R0100,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 7343-43,E型,参数:容值: 220 uF;电压: 16 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.1 Ohm;外形尺寸: 7.3*4.1*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-838...
LN65
LN65,红外发射管,PANASONIC原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
LP3982ILDX-3.3/NOPB
LP3982ILDX-3.3/NOPB,微功耗，超低压降，低噪声，300mA CMOS 稳压器,品牌:TI,封装:LLP-8 EP,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:2.5 V,最大输入电压:6 V,最大输出电流:0.3 A,输出电压:3.3 V,典型压差电压@电流:0.0004@1mA...