CL05B333KO5NNNC
CL05B333KO5NNNC,通用X7R电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值33 nF,电压16 Vdc,封装尺寸1.0 x 0.5mm (0402),厚度0.5 mm,精度+/-10 %.咨询购买请致电:0755-83897562
KSA1220
KSA1220,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=1200mA,BVcbo=120V,BVceo=120V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=320,Vce(sat)=0.7V,fr=175+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMSZ5233B
MMSZ5233B,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-123封装,参数为:Pd=350mW,Nom=6V,Min=5.7V,Max=6.3V,Zzt=7欧姆,Zzk=1600欧姆,Ir=5uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TPS71828-28YZCT
TPS71828-28YZCT,双路 200mA 输出、低噪声、高 PSRR LDO 线性稳压器,品牌:TI,封装:DSBGA-6,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:2,最小输入电压:2.7 V,最大输入电压:6.5 V,最大输出电流:0.2|0.2 A,输出电压:2.8|2.8 V,最大功耗:530 m...
BGT24MTR11E6327XUMA1
BGT24MTR11E6327XUMA1,射频传感器,RF Transceiver 3.3V,品牌:Infineon,封装:32VQFN,咨询购买请致电:0755-83897562
LM324NE3
LM324NE3 ,低功耗四路运算放大器,TI原厂生产,PDIP-14封装,参数为:4通道,通用放大器,典型增益带宽:1.2 MHz,典型转换速率:0.5@±15V V/us,轨至轨:No,最大输入失调电压:7@30V mV,最大输入偏置电流:0.25@5V uA,典型输入噪声电压密度:35@±15V nV/rtHz,...
BC846A-7-F
BC846A-7-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:110@2mA@5V; 最大工作频率:300(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5m...
LM833D
LM833D ,双路音频运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:16 MHz,典型转换速率:7@±15V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:5@±15V mA,最大输入失调电压:2@±15V mV,最大输入偏置电流:0.75@±15V uA,典型输入噪声电压密度:4.5...
TLV4112IP
TLV4112IP ,高输出驱动运算放大器,TI原厂生产,PDIP-8封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:2.7 MHz,典型转换速率:1.57@5V V/us,轨至轨输出,最大供电电流:2@5V mA,最大输入失调电压:3.5@5V mV,最大输入偏置电流:0.00005@5V uA,典型输入噪声电压密度...
P4KE9.1CA-E3
P4KE9.1CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7.78V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 29.9 A; 最大反向漏电...
SMCJ6041AE3
SMCJ6041AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 10V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 90 A; 最大反向漏电...
TPS70950DRVR
TPS70950DRVR,具有使能端的150mA,5 V 超低 IQ LDO,品牌:TI,封装:SON-6,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:2.7 V,最大输入电压:30 V,最大输出电流:0.15 A,输出电压:5 V,典型压差电压@电流:0.245@50mA|0.69@150mA ...
T491A334M035AT7280
T491A334M035AT7280,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 3216-18,A型,参数:容值: 0.33 uF;电压: 35 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 15 Ohm;外形尺寸: 3.2*1.6*1.6 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755...
XA3S100E-4CPG132Q
XA3S100E-4CPG132Q,现场可编程门阵列(FPGA),100K Gates,2160 Cells,572MHz,90nm Technology,1.2V,由Xilinx原厂生产,CSBGA-132封装,详细参数为:所属产品系列:XA Spartan-3E,逻辑门数量(Gates):100000,逻辑单元数量...
ZXTP19060CFFTA
ZXTP19060CFFTA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23F-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:200@100mA@2V|160@1A@2V|30@4A@2V; 最大工作频率:180(Typ) MHz...
TXS2-3V-1
TXS2-3V-1,继电器,DPDT,1A,3VDC,180Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Very High Sensitivity Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1 A; DC直流线圈电压:3 V; 线圈电流:16.7 mA; 线圈电阻:180 Ohm; 触点材质:Silver P...
PI49FCT32803QE
PI49FCT32803QE,射频IC,锁向环,Zero Delay PLL Clock Multiplier Single,品牌:Pericom,封装:16SOIC,咨询购买请致电:0755-83897562
PDTA143XE,115
PDTA143XE,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SC-75-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:50@10mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库...
ADS41B29IRGZ25
ADS41B29IRGZ25,12位250MSPS 缓冲低功耗 ADC,由TI原厂生产,VQFN-48 EP封装,参数为:分辨率:12 Bit,采样速率:250 Msps,ADC数量:1,模拟输入数量:1,架构:Pipelined,是否差分输入:Yes,数字接口类型:Parallel|Serial|LVDS,输入类型:...
CWR29FH475KBBB
CWR29FH475KBBB,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: B型,参数:容值: 4.7 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 3.2 Ohm;外形尺寸: 3.81*1.27*1.27 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562