FOD0720
FOD0720,高CMR,25Mbit/秒逻辑门光电耦合器,由Fairchild原厂生产,SO-8L_NB封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
XC4005L-5PQ100C
XC4005L-5PQ100C,现场可编程门阵列(FPGA),由Xilinx原厂生产,PQFP-100封装,详细参数为:增强抗辐射性:No,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
XC6SLX16-2CSG225C
XC6SLX16-2CSG225C,现场可编程门阵列(FPGA),14579 Cells,45nm (CMOS) Technology,1.2V,由Xilinx原厂生产,CSBGA-225封装,详细参数为:所属产品系列:Spartan-6 LX,逻辑单元数量(Cells):14579,逻辑单元数量(Units):145...
SDA006-7
SDA006-7,二极管,整流桥堆,品牌:Diodes,封装:SOT-363-6,参数:配置:Single; 桥型:Three Phase; 峰值反向重复电压:100 V; 峰值反向电流:2.5@75V uA; 峰值平均正向电流:0.215 A; 峰值正向电压:1.25@0.15A V; 工作温度:-65 to 150...
A40MX02-VQG80A
A40MX02-VQG80A,现场可编程门阵列(FPGA),3K Gates,295 Cells,120MHz,0.45um (CMOS) Technology,5V,由Microsemi原厂生产,VQFP-80封装,详细参数为:所属产品系列:40MX,逻辑门数量(Gates):3000,逻辑单元数量(Cells):2...
TLC2202ACDRG4
TLC2202ACDRG4 ,高级 LinCMOS(TM) 低噪声精密二路运算放大器,TI原厂生产,SOIC-14封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:1.9 MHz,典型转换速率:2.5@5V V/us,轨至轨输出,最大供电电流:2.6@5V mA,最大输入失调电压:0.5@5V mV,最大输入偏置电流:0...
TPS77101DGK
TPS77101DGK,具有复位功能并采用 MSOP-8 封装的快速瞬态响应 150mA LDO,品牌:TI,封装:VSSOP-8,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:2.7 V,最大输入电压:10 V,最大输出电流:0.15 A,输出电压:1.5 to 5.5 V,最大功耗:412 mW...
R573002320
R573002320,射频开关,RF Switch SP3T 0MHz to 3GHz 80dB,品牌:Radiall,封装:RF,咨询购买请致电:0755-83897562
R414504000
R414504000,固定衰减器,Fixed Coaxial Attenuators 12.4GHz 4dB,品牌:Radiall,封装:RF,咨询购买请致电:0755-83897562
QED121
QED121,红外发射管,FAIRCHILD原厂生产,TOP5-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TAJB106K006TNJ
TAJB106K006TNJ,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 3528-21,B型,参数:容值: 10 uF;电压: 6.3 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 3 Ohm;外形尺寸: 3.5*1.9*2.8 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8389756...
1.5KE11CA-E3
1.5KE11CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 9.4V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 96.2 A; 最大反向漏电流:...
SMA6T15AY
SMA6T15AY, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12.8V 600W,品牌:ST,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 147 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA; ...
F980G227MSA
F980G227MSA,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 2012-09,S型,参数:容值: 220 uF;电压: 4 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 5 Ohm;外形尺寸: 2*0.8*1.25 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBZ27VCL,215
MMBZ27VCL,215,ESD静电抑制器,TVS二极管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:TVS; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional|Bi-Directional; 最大钳位电压:38 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:30@Contact Disc/2@MM ...
TAZE226K010LBSZ0800
TAZE226K010LBSZ0800,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: E型,参数:容值: 22 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.6 Ohm;外形尺寸: 5.08*1.27*2.54 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-838975...
T520Y337M010ATE015
T520Y337M010ATE015,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-40,Y型,参数:容值: 330 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.015 Ohm;外形尺寸: 7.3*4*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 105 ℃.咨询购买请致电:0755...
MAT02EH
MAT02EH,功率晶体管,品牌:ADI,封装:TO-78-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.02 A; 最小DC直流电流增益:500@1mA|500@100uA|400@10uA|300@1uA; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电...
T495B157M004AHE900
T495B157M004AHE900,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 3528-21,B型,参数:容值: 150 uF;电压: 4 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.9 Ohm;外形尺寸: 3.5*1.9*2.8 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-...
SMLJ14CAE3
SMLJ14CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 14V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 129.4 A; 最大反向漏电...