PESD24VS2UT,215
PESD24VS2UT,215,ESD静电抑制器,TVS二极管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:TVS; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional|Bi-Directional; 最大钳位电压:70 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:23@Contact Disc/10@...
NRF24L01P-R7
NRF24L01P-R7,射频传感器,RF Transceiver GFSK 3V,品牌:Nordic,封装:20QFN EP,库存实时更新,咨询购买请致电:0755-83897562
74LVC374APW
74LVC374APW低功耗CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用TSSOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
LP38856T-1.2/NOPB
LP38856T-1.2/NOPB,具有启用的 3A 快速响应高分辨率 LDO 线性稳压器,品牌:TI,封装:TO220-5,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:1.15 V,最大输入电压:5.5 V,最大输出电流:3A,输出电压:1.2 V,典型压差电压@电流:0.24@3A V,精度:...
TG.09.0113
TG.09.0113,天线,Antenna Penta-Band 896MHz/960MHz/1880MHz/1990MHz/2170MHz,品牌:Taoglas,封装:RF,咨询购买请致电:0755-83897562
PUSBM30VX4-TL,115
PUSBM30VX4-TL,115,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:NXP,封装:HXSON-6 EP,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:3; ESD保护电压:±8@Contact Disc kV; 最大工作电压:30 V; 最大漏电...
LM6132BIMX
LM6132BIMX ,双路低功耗 10 MHz 轨至轨 I/O 运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8 N封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:10 MHz,典型转换速率:14@5V V/us,轨至轨输入/输出,最大供电电流:0.8@5V mA,最大输入失调电压:6@5V mV,最大输入偏置电流:0.18@...
M39016/30-031L
M39016/30-031L,继电器,DPDT,1ADC/0.25AAC,5VDC,48Ohm,品牌:Teledyne,参数:类型:Magnetic Latching Established Reliability Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1DC|0.25AC A; DC直流线圈电压:5 V;...
2308B-1HDCGI
2308B-1HDCGI,射频IC,锁向环,Zero Delay PLL Clock Multiplier Single 10MHz to 133.3MHz,品牌:IDT,封装:16SOIC N,咨询购买请致电:0755-83897562
SA16A-E3
SA16A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 16V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 19.2 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
5KP20CAE3
5KP20CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 20V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 154 A; 最大反向漏电流: ...
XC5210-3PQ208C
XC5210-3PQ208C,现场可编程门阵列(FPGA),16K Gates,1296 Cells,83MHz,0.5um (CMOS) Technology,5V,由Xilinx原厂生产,PQFP-208封装,详细参数为:所属产品系列:XC5200,逻辑门数量(Gates):16000,逻辑单元数量(Cells):...
OPA452TA
OPA452TA ,80V 50mA 运算放大器,TI原厂生产,TO-220-7封装,参数为:1通道,通用放大器,典型增益带宽:1.8 MHz,典型转换速率:7.2@±40V V/us,轨至轨:No,最大输入失调电压:3@±40V mV,最大输入偏置电流:0.0001@±40V uA,典型输入噪声电压密度:21@±40...
IRFU3704Z
IRFU3704Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=20V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.4mOhms,Id=42A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STM8AF62AATAY
STM8AF62AATAY,单片机，微控制器，24MHz，8位，128KB闪存，6K RAM内存,品牌:ST,封装:80-LQFP,参数:MCU,24MHz,8Bit,128KB Flash,6K RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
LM311M/NOPB
LM311M/NOPB ,具有选通信号的差动比较器,TI原厂生产,SOIC-8 N封装,参数为:1 路, 输出类型:Open Drain/Collector, 典型响应时间:0.2 us,典型电压增益:106.02 dB,最小单电源电压:5 V,最大单电源电压:36 V,最小双电源电压:±2.5 V,最大双电源电压:±...
G2R1EDC110BYOMI
G2R1EDC110BYOMI,继电器,SPDT,16A,110VDC,22.9KOhm,品牌:Omron,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:110 V; 线圈电流:4.8 mA; 线圈电阻:22.9 KOhm; 触点材质:Silver; 最大额定A...
SMA6T82CAY
SMA6T82CAY, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 70V 600W,品牌:ST,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 27 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA; 最大钳位...
2305-1HDCGI8
2305-1HDCGI8,射频IC,锁向环,Zero Delay PLL Clock Buffer Single 10MHz to 133MHz,品牌:IDT,封装:8SOIC N,咨询购买请致电:0755-83897562
5CGXBC9C6F23C7N
5CGXBC9C6F23C7N,现场可编程门阵列(FPGA),301000 Cells,28nm 1.1V,由Altera原厂生产,FBGA-484封装,详细参数为:所属产品系列:Cyclone V GX,逻辑单元数量(Cells):301000,逻辑单元数量(Units):301000,寄存器数量(Registers...