SMBJ70CA
SMBJ70CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 70V 600W,品牌:Fairchild,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 5.3 A; 最大反向漏电流: 5...
BCV62B,235
BCV62B,235,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-143B-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:100@100uA@5V@TR 1|100@2mA@5V@TR 1|220@2mA@5V@TR 2; 最大工作频...
XC3S2000-5FGG456C
XC3S2000-5FGG456C,现场可编程门阵列(FPGA),2M Gates,46080 Cells,725MHz,90nm Technology,1.2V,由Xilinx原厂生产,FBGA-456封装,详细参数为:所属产品系列:Spartan-3,逻辑门数量(Gates):2000000,逻辑单元数量(Cell...
NSVMUN5212DW1T1G
NSVMUN5212DW1T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:60@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....
ZTX758STOA
ZTX758STOA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:50@1mA@5V|50@100mA@5V|40@200mA@10V; 最大工作频率:50(Min) MHz...
IRG7PH35UD-EP
IRG7PH35UD-EP,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AD-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:50 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 150 ℃. 询报...
8430002AYLFT
8430002AYLFT,射频IC,锁向环,PLL Frequency Synthesizer Single,品牌:IDT,封装:48TQFP,咨询购买请致电:0755-83897562
2SD1835S-AA
2SD1835S-AA,功率晶体管,品牌:ON,封装:NP-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:140@100mA@2V; 最大工作频率:150(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@50mA@1A V; 最...
M39016/26-041L
M39016/26-041L,继电器,SPDT,1ADC/0.25AAC,5VDC,100Ohm,品牌:Teledyne,参数:类型:Established Reliability Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:1DC|0.25AC A; DC直流线圈电压:5 V; 线圈电流:50 mA; 线圈电阻...
STM32F205ZET6TR
STM32F205ZET6TR,单片机，微控制器，120MHz，32位，512KB闪存，132K RAM内存,品牌:ST,封装:144-LQFP,参数:MCU,120MHz,32Bit,512KB Flash,132K RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
A3P1000-1FGG256
A3P1000-1FGG256,现场可编程门阵列(FPGA),1M Gates,272MHz,130nm (CMOS) Technology,1.5V,由Microsemi原厂生产,FBGA-256封装,详细参数为:所属产品系列:ProASIC 3,逻辑门数量(Gates):1000000,系统门数量(System G...
SMCJ6052
SMCJ6052, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 29V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 29 A; 最大反向漏电流: ...
1.5SMC18A-E3
1.5SMC18A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15.3V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 59.5 A; 最大反向漏电流...
IKD10N60RAATMA2
IKD10N60RAATMA2,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-252-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount; 工作温度:-40 to 175...
T495X156M025ATE200
T495X156M025ATE200,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-43,X型,参数:容值: 15 uF;电压: 25 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.2 Ohm;外形尺寸: 7.3*4*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83...
TPPM0110DWPR
TPPM0110DWPR,3.3V 和 1.8V 双路输出低压降 (LDO) 稳压器,品牌:TI,封装:HSOP-20 EP,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:2,最小输入电压:4.7 V,最大输入电压:5.3 V,最大输出电流:1.5|0.3 A,输出电压:3.3|1.82 V,最大功耗:3800 mW...
LP3964ES-3.3
LP3964ES-3.3,800mA 快速超低压降线性稳压器,品牌:TI,封装:TO263-6,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:2.5 V,最大输入电压:7 V,最大输出电流:0.8 A,输出电压:3.3 V,典型压差电压@电流:0.024@80mA|0.24@800mA V,精度:±...
TOLD2000MDA
TOLD2000MDA,镭射激光管,由TOSHIBA原厂生产,TOP-DIP4封装,参数描述:效率高,体积小,寿命长,可靠性好,成本较低! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
OPA2735AIDRG4
OPA2735AIDRG4 ,最大漂移 0.05uV/℃ 单电源 CMOS 运算放大器，零漂移系列,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:1.6 MHz,典型转换速率:1.5@±5V V/us,轨至轨输出,最大输入失调电压:0.005@12V mV,最大输入偏置电流:0.0002@±...
THS4501IDGK
THS4501IDGK ,高速全差动放大器，+/-5V,TI原厂生产,VSSOP-8封装,参数为:1 路差分放大器, 典型带宽增益:300 MHz, 最低CMRR值:54(Typ) dB,电源类型:Single|Dual,最小单电源电压:4.5 V,最大单电源电压:15 V,最小双电源电压:±2.25 V,最大双电源电...