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BFU630F,115

BFU630F,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:DFP-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:5.5 V; 最大DC直流集电极电流:0.03 A; 最小DC直流电流增益:90@5mA@2V; 最大工作频率:21000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:16 V; 工作温度:-65...

F971A475MBA

F971A475MBA,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 3528-21,B型,参数:容值: 4.7 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 2.8 Ohm;外形尺寸: 3.5*1.9*2.8 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562...

NSBC123JPDXV6T5G

NSBC123JPDXV6T5G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-563-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mo...

TLV2352MUB

TLV2352MUB ,LinCMOS(TM) 双路低电压差动比较器,TI原厂生产,CFPAK-10封装,参数为:2 路, 输出类型:Open Drain, 典型响应时间:1.3(Max) us,最小单电源电压:2 V,最大单电源电压:8 V,温度范围:-55 to 125 ℃,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-...

T491D156K035ATAUTO

T491D156K035ATAUTO,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 15 uF;电压: 35 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.8 Ohm;外形尺寸: 7.3*2.8*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-...

P1AFS1500-2FG256I

P1AFS1500-2FG256I,现场可编程门阵列(FPGA),1.5M Gates,1470.59MHz,130nm (CMOS) Technology,1.5V,由Microsemi原厂生产,FBGA-256封装,详细参数为:所属产品系列:Fusion,逻辑门数量(Gates):1500000,系统门数量(Sys...

LM6511IM

LM6511IM ,180 ns 3V 比较器,TI原厂生产,SOIC-8 N封装,参数为:1 路, 输出类型:Open Collector, 典型响应时间:0.18 us,典型电压增益:92.04 dB,最小单电源电压:2.5 V,最大单电源电压:30 V,温度范围:-40 to 85 ℃,库存实时更新.咨询购买请致...

T520V107M006ATE009

T520V107M006ATE009,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-20,V型,参数:容值: 100 uF;电压: 6.3 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.009 Ohm;外形尺寸: 7.3*2*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 105 ℃.咨询购买请致电:075...

BB844E6327HTSA1

BB844E6327HTSA1,变容二极管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:配置:Dual Common Cathode; 应用频率范围:VHF; 类型:Tuner; 最小调谐比:3.2; 最大反向电压:20 V; 最小二极管电容:42.5@2V pF; 调谐比测试条件:2/8 V; 安装方式:S...

XC2VP7-5FGG456I

XC2VP7-5FGG456I,现场可编程门阵列(FPGA),11088 Cells,1050MHz,0.13um/90nm (CMOS) Technology,1.5V,由Xilinx原厂生产,FBGA-456封装,详细参数为:所属产品系列:Virtex-II Pro,逻辑单元数量(Cells):11088,逻辑单元...

ZL30253LDG1

ZL30253LDG1,射频IC,锁向环,Programmable PLL Clock Multiplier/Attenuator Single 14Hz to 500Hz,品牌:Microsemi,封装:32QFN,咨询购买请致电:0755-83897562

A733

A733,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=150mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=475,Vce(sat)=0.3V,fr=50MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

TL062IDR

TL062IDR ,二路低功耗 JFET 输入通用运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:1 MHz,典型转换速率:3.5@±15V V/us,轨至轨:No,最大输入失调电压:6@±15V mV,最大输入偏置电流:0.0002@±15V uA,典型输入噪声电压密度:42@±...

PXT8550

PXT8550,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=1500mA,BVcbo=40V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=85,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

STM32F101VET6

STM32F101VET6,单片机,微控制器,36MHz,32位,512KB闪存,48K RAM内存,品牌:ST,封装:100-LQFP,参数:MCU,36MHz,32Bit,512KB Flash,48K RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562

STW81200TR

STW81200TR,射频IC,锁向环,PLL Frequency Synthesizer Single 3000MHz to 6000MHz,品牌:STM,封装:36VFQFPN,咨询购买请致电:0755-83897562

FGH60N60SFTU

FGH60N60SFTU,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-247AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:120 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-...

LP2981A-29DBVT

LP2981A-29DBVT,单输出 LDO、100mA、固定电压 (2.9V)、关断状态、0.75% 容限,品牌:TI,封装:SOT23-5,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:2.2 V,最大输入电压:16 V,最大输出电流:0.1 A,输出电压:2.9 V,典型压差电压@电流:0.0...

SI4685-A10-GM

SI4685-A10-GM,其它射频IC,AM/FM/DAB/DAB+ Radio Receiver,品牌:Silicon,封装:48QFN,咨询购买请致电:0755-83897562

SM6T39CA-E3

SM6T39CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 33.3V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 57 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...