A42MX09-1VQG100
A42MX09-1VQG100,现场可编程门阵列(FPGA),14K Gates,336 Cells,148MHz/247MHz,0.45um (CMOS) Technology,3.3V/5V,由Microsemi原厂生产,VQFP-100封装,详细参数为:所属产品系列:42MX,逻辑门数量(Gates):14000...
1SMA8.5AT3G
1SMA8.5AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8.5V 400W,品牌:ON,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 27.8 A; 最大反向漏电流: 5 uA; ...
1N6104
1N6104, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6.2V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 41.3 A; 最大反向漏电流: 10...
LP3990TL-1.2/NOPB
LP3990TL-1.2/NOPB,用于数字应用的 150mA 线性电压稳压器,品牌:TI,封装:uSMD-4,详细参数为:电压极性:Positive,类型:Linear,输出数:1,最小输入电压:2 V,最大输入电压:6 V,最大输出电流:0.15 A,输出电压:1.2 V,精度:±1 %,最大静态电流:0.08 m...
R577343002
R577343002,射频开关,RF Switch 0MHz to 3GHz 80dB,品牌:Radiall,封装:RF,咨询购买请致电:0755-83897562
CL05F683ZO5NNNC
CL05F683ZO5NNNC,通用Y5V电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值68 nF,电压16 Vdc,封装尺寸1.0 x 0.5mm (0402),厚度0.5 mm,精度+80/-20% .咨询购买请致电:0755-83897562
TBJC336K016LBSC0023
TBJC336K016LBSC0023,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 6032-28,C型,参数:容值: 33uF;电压: 16V;公差精度: 10%;外形尺寸: 6 X 3.2 X 2.6mm;等效串联电阻: 0.1 Ohm.咨询购买请致电:0755-83897562
ER412DM4-26B
ER412DM4-26B,继电器,DPDT,1ADC/0.25AAC,26.5VDC,1.56KOhm,品牌:Teledyne,参数:类型:Established Reliability Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1DC|0.25AC A; DC直流线圈电压:26.5 V; 线圈电流:16.99...
LM2904VQDR
LM2904VQDR ,双路运算放大器，电压增强型,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:0.7 MHz,典型转换速率:0.3@±15V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:1.2@5V@-40C to 125C mA,最大输入失调电压:7@30V mV,最大输入偏置电流:0.25...
XC3S100E-5CPG132C
XC3S100E-5CPG132C,现场可编程门阵列(FPGA),100K Gates,2160 Cells,657MHz,90nm (CMOS) Technology,1.2V,由Xilinx原厂生产,CSBGA-132封装,详细参数为:所属产品系列:Spartan-3E,逻辑门数量(Gates):100000,逻辑...
LM258DGKR
LM258DGKR ,双路运算放大器,TI原厂生产,VSSOP-8封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:0.7 MHz,典型转换速率:0.3@±15V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:1.2@5V@-25C to 85C mA,最大输入失调电压:5@30V mV,最大输入偏置电流:0.15@5V uA,...
BGS12AL74E6327XTSA1
BGS12AL74E6327XTSA1,射频开关,RF Switch SPDT 30MHz to 3GHz 15dB,品牌:Infineon,封装:7TSLP,咨询购买请致电:0755-83897562
LM2903VQPWRG4Q1
LM2903VQPWRG4Q1 ,双路差动比较器，电压增强型,TI原厂生产,TSSOP-8封装,参数为:2 路, 输出类型:Open Collector, 典型响应时间:1.3 us,典型电压增益:100 dB,最小单电源电压:2 V,最大单电源电压:36 V,最小双电源电压:±1 V,最大双电源电压:±18 V,温度...
MMSZ5245CS
MMSZ5245CS,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-323封装,参数为:Pd=200mW,Nom=15V,Min=14.7V,Max=15.3V,Zzt=16欧姆,Zzk=600欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
M39016/24-023L
M39016/24-023L,继电器,SPDT,1ADC/0.25AAC,18VDC,1.13KOhm,品牌:Teledyne,参数:类型:Established Reliability TO-5 Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:1DC|0.25AC A; DC直流线圈电压:18 V; 线圈电流:17...
ATF-58143-TR1G
ATF-58143-TR1G,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:SOT-343-4,参数:配置:Single Dual Source; 最大漏源电压:5 V; 最大连续漏极电流:100 mA; 最大门源电压:1 V; 最大漏极栅极电压:-5 to 1 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surfa...
XCV300-6FGG456C
XCV300-6FGG456C,现场可编程门阵列(FPGA),322.97K Gates,6912 Cells,333MHz,0.22um (CMOS) Technology,2.5V,由Xilinx from Components Direct原厂生产,FBGA-456封装,详细参数为:所属产品系列:Virtex,逻...
BUJD105AD,118
BUJD105AD,118,功率晶体管,品牌:NXP,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:8@4A@5V|10@1mA@5V|13@500mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.8A@4A V; 最...
A3P030-VQ100I
A3P030-VQ100I,现场可编程门阵列(FPGA),30K Gates,231MHz,130nm (CMOS) Technology,1.5V,由Microsemi原厂生产,VQFP-100封装,详细参数为:所属产品系列:ProASIC3,逻辑门数量(Gates):30000,系统门数量(System Gates...
TPSB225M025R2500
TPSB225M025R2500,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 3528-21,B型,参数:容值: 2.2 uF;电压: 25 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 2.5 Ohm;外形尺寸: 3.5*1.9*2.8 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-838...