STR752FR0T6
STR752FR0T6,单片机，微控制器，60MHz，32位，64KB闪存，16K RAM内存,品牌:ST,封装:64-LQFP,参数:MCU,60MHz,32Bit,64KB Flash,16K RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
G7L1ATJCBDC12
G7L1ATJCBDC12,继电器,SPST-NO,30A,12VDC,75Ohm,品牌:Omron,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:30 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:158 mA; 线圈电阻:75 Ohm; 触点材质:Silver ...
T495D686K006AHE175
T495D686K006AHE175,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 68 uF;电压: 6.3 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.175 Ohm;外形尺寸: 7.3*2.8*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:07...
BZW04-13-E3
BZW04-13-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12.8V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 19 A; 最大反向漏电流...
TIP41A-S
TIP41A-S,功率晶体管,品牌:Bourns,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:6 A; 最小DC直流电流增益:30@0.3A@4V|15@3A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@0.6A@6A V; 最大集电极基极电压:...
LP2988ILDX-3.8/NOPB
LP2988ILDX-3.8/NOPB,具有可编程上电复位延迟的微功耗，200 mA 超低压降 低噪声电压稳压器,品牌:TI,封装:LLP-8 EP,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:2.1 V,最大输入电压:16 V,最大输出电流:0.2 A,输出电压:3.8 V,典型压差电压@电流:...
TPS79201DBVTG4
TPS79201DBVTG4,超低噪声、高 PSRR、快速射频、高电平启用的 100mA 低压降稳压器,品牌:TI,封装:SOT23-6,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:2.7 V,最大输入电压:5.5 V,最大输出电流:0.1 A,输出电压:1.2 to 5.5 V,最大功耗:561...
BC817W
BC817W,贴片晶体管,三极管,SOT-323封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=500mA,BVcbo=50V,BVceo=45V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=600,Vce(sat)=0.7V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
6V49205ANLG
6V49205ANLG,射频IC,锁向环,PLL Clock Generator Quad 2.048MHz to 125MHz,品牌:IDT,封装:48VFQFPN,咨询购买请致电:0755-83897562
R413855000
R413855000,固定衰减器,Fixed Attenuator 55dB 18GHz,品牌:Radiall,封装:RF,咨询购买请致电:0755-83897562
J412DM2-18L
J412DM2-18L,继电器,DPDT,1ADC/0.25AAC,18VDC,880Ohm,品牌:Teledyne,参数:类型:Established Reliability Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1DC|0.25AC A; DC直流线圈电压:18 V; 线圈电流:20.45 mA; 线圈...
LP3985ITLX-3.0/NOPB
LP3985ITLX-3.0/NOPB,微功耗，150mA 低噪声超低压降 CMOS 电压稳压器,品牌:TI,封装:uSMD-5,详细参数为:电压极性:Positive,类型:Linear,输出数:1,最小输入电压:2.5 V,最大输入电压:6 V,最大输出电流:0.15 A,输出电压:3 V,最大功耗:244 mW,...
SMCJ120A-E3
SMCJ120A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 120V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 7.8 A; 最大反向漏电流: 1...
TISP83121DR-S
TISP83121DR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SOIC-8,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:100 V; 最大保持电流:300 mA; 浪涌电流额定值:22 A; 重复峰值正向阻断电压:100 V; 重复峰值断态电流:0.01 mA; 最大栅极触发电压:1.8 V; 最大门极触发电流:2...
VS-VSKH41/08
VS-VSKH41/08,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:ADD-A-PAK-5,参数:类型:SCR Module; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:200 mA; 额定平均通态电流:45 A; 浪涌电流额定值:985 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.81 V; 重复峰...
T409F335K035BKT200
T409F335K035BKT200,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: F型,参数:容值: 3.3 uF;电压: 35 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 2.5 Ohm;外形尺寸: 5.59*1.78*3.43 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8389...
CL31C330JJHNNNE
CL31C330JJHNNNE,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值33 pF,电压2000 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.6 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
SI4133-D-GT
SI4133-D-GT,射频IC,锁向环,PLL Frequency Synthesizer Triple,品牌:Silicon,封装:24TSSOP,库存实时更新,咨询购买请致电:0755-83897562
OPA354AIDBVR
OPA354AIDBVR ,250MHz 轨至轨 I/O CMOS 单路运算放大器,TI原厂生产,SOT-23-5封装,参数为:1通道,电压反馈放大器,典型增益带宽:100 MHz,典型转换速率:150@5V V/us,轨至轨输入/输出,最大输入失调电压:8@5V mV,最大输入偏置电流:0.00005@5.5V uA...
TBJB475K010CBSB0024
TBJB475K010CBSB0024,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 3528-21,B型,参数:容值: 4.7 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 4.5 Ohm;外形尺寸: 3.5*1.9*2.8 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-...