THS4601IDDA
THS4601IDDA ,宽带 FET 输入运算放大器,TI原厂生产,8HSOP EP封装,参数为:1通道,通用放大器,典型增益带宽:180 MHz,典型转换速率:100@±5V V/us,轨至轨:No,最大输入失调电压:4@±5V mV,最大输入偏置电流:0.0001@±5V uA,典型输入噪声电压密度:5.4@±5...
T491X226M035ATAUTO
T491X226M035ATAUTO,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-43,X型,参数:容值: 22 uF;电压: 35 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.7 Ohm;外形尺寸: 7.3*4*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83...
BFN39H6327XTSA1
BFN39H6327XTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:25@1mA@10V|40@10mA@10V|30@30mA@10V; 最大集电极发射极饱和...
OPA228PA
OPA228PA ,高精度低噪声运算放大器,TI原厂生产,PDIP-8封装,参数为:1通道,通用放大器,典型增益带宽:8 MHz,典型转换速率:11@±15V V/us,轨至轨:No,最大输入失调电压:0.2@±15V mV,最大输入偏置电流:0.01@±15V uA,典型输入噪声电压密度:3.5@±15V nV/rt...
SMCJ45A-M3
SMCJ45A-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 45V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 20.6 A; 最大反向漏电流: 1 ...
74HC138D
74HC138D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用SO-16封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
ADC12D1600CIUT
ADC12D1600CIUT,12位,2.0/3.2 GSPS 超高速 ADC,由TI原厂生产,TEBGA-292封装,参数为:分辨率:12 Bit,采样速率:3.2 Gsps,ADC数量:2,模拟输入数量:2,是否差分输入:Yes,数字接口类型:LVDS,输入类型:Voltage,信噪比:58.6(Typ) dB,采...
IRG4BC15UD-LPBF
IRG4BC15UD-LPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-262-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:14 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
P6SMB7.5CA-E3
P6SMB7.5CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6.4V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 53.1 A; 最大反向漏电流: 10...
PCM5101APW
PCM5101APW,具有32位,384kHz PCM 接口的2VRMS、106dB 音频立体声 DAC,由TI原厂生产,TSSOP-20封装,参数为:分辨率:32 Bit,转换速率:384 Ksps,架构:Segment,数字接口类型:Serial,DAC通道数:2,每芯片输出:2,输出类型:Voltage,信噪比:...
ADS62P22IRGCT
ADS62P22IRGCT,具有可选 DDR LVDS 或 CMOS 输出的双路 12位65MSPS ADC,由TI原厂生产,VQFN-64 EP封装,参数为:分辨率:12 Bit,采样速率:65 Msps,ADC数量:2,模拟输入数量:2,架构:Pipelined,是否差分输入:Yes,数字接口类型:Parallel...
T409H685K035PCT100
T409H685K035PCT100,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: H型,参数:容值: 6.8 uF;电压: 35 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 1.3 Ohm;外形尺寸: 7.24*2.79*3.81 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8389...
SMCJ400AE3
SMCJ400AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式:...
TAJA474K025RNJ
TAJA474K025RNJ,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 3216-18,A型,参数:容值: 0.47 uF;电压: 25 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 14 Ohm;外形尺寸: 3.2*1.6*1.6 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897...
1.5KE18ARL4G
1.5KE18ARL4G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15.3V 1.5KW,品牌:ON,封装:2Case 41A-04,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 59.5 A; 最大...
HMC908LC5TR
HMC908LC5TR,高低变化混合器,Up/Down Conv Mixer 3V/5V 12000MHz,品牌:ADI(Analog Devices),封装:32QFN,咨询购买请致电:0755-83897562
STRVS185X02B
STRVS185X02B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 128V,品牌:ST,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 最大峰值脉冲电流: 2 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA; 最大钳位电压: 185 V; 最大...
IRF9332
IRF9332,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=17.5mOhms,RDS(on) Max 4.5V=28.1mOhms,Qg Typ=14.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:07...
MAX9994ETP+T
MAX9994ETP+T,高低变化混合器,Up/Down Conv Mixer 5V 2.2GHz,品牌:Maxim,封装:20TQFN EP,咨询购买请致电:0755-83897562
DRDNB16W-7
DRDNB16W-7,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-363-6,参数:配置:Single; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:600 mA; 最小DC直流电流增益:56@50mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8...