TPS76618D
TPS76618D,超低静态电流 250mA,1.8V输出,LDO 线性稳压器,品牌:TI,封装:SOIC-8,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:2.7 V,最大输入电压:10 V,最大输出电流:0.25 A,输出电压:1.8 V,最大功耗:904 mW,典型压差电压@电流:0.14@2...
SZESD7421N2T5G
SZESD7421N2T5G,ESD静电抑制器,TVS二极管,品牌:ON,封装:XDFN-2,参数:类型:TVS; 配置:Single; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:38.1(Typ) V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±15@Air Gap|±12@Contact...
MMBZ18VALT1G
MMBZ18VALT1G,ESD静电抑制器,TVS二极管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:TVS; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional|Bi-Directional; 最大钳位电压:25 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:16@HBM/0.4@MM kV; 最大工作电压:...
SM8S14AHE3
SM8S14AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 14V 6.6KW,品牌:Vishay,封装:DO-218AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 6600 W; 最大峰值脉冲电流: 284 A; 最大反向漏电流...
SL2S2002FTB,115
SL2S2002FTB,115,其它射频IC,Dedicated Chip,品牌:NXP,封装:3XSON,咨询购买请致电:0755-83897562
SMA5J40AHE3
SMA5J40AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 40V 500W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 7.8 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
TPD2E001DRSR
TPD2E001DRSR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:WSON-6 EP,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc/...
MGA-675T6-BLKG
MGA-675T6-BLKG,射频运放芯片,RF Amp Chip Single GP 6GHz,品牌:Avago,封装:6UTSLP,咨询购买请致电:0755-83897562
FZT790ATC
FZT790ATC,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:300@10mA@2V|250@500mA@2V|200@1A@2V|150@2A@2V; 最大工作频率:100(...
SMBJ5.0CAE3
SMBJ5.0CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 65.2 A; 最大反向漏电流...
STGFW20V60DF
STGFW20V60DF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-3PF-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 ...
BD437
BD437,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=4000mA,BVcbo=45V,BVceo=45V,BVebo=5V,hfe(Min)=85,hfe(Max)=375,Vce(sat)=0.6V,fr=3MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SMCG5.0CAHE3
SMCG5.0CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMCG,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 163 A; 最大反向漏电流: 200...
G2R24T130DC24BYOMI
G2R24T130DC24BYOMI,继电器,DPDT,5A,24VDC,1.1KOhm,品牌:Omron,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:5 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:21.8 mA; 线圈电阻:1.1 KOhm; 触点材质:Silve...
TAZB106M004CBSB0000
TAZB106M004CBSB0000,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: B型,参数:容值: 10 uF;电压: 4 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 8 Ohm;外形尺寸: 3.81*1.27*1.27 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562
TCJY107M016R0050
TCJY107M016R0050,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 7343-20,Y型,参数:容值: 100 uF;电压: 16 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.05 Ohm;外形尺寸: 7.3*2*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 105 ℃.咨询购买请致电:0755-8389...
FMMT560QTC
FMMT560QTC,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:500 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:100@1mA@10V|80@50mA@10V; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@2mA@20mA|0....
PEMD17,115
PEMD17,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-666-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:60@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...
TD92N16KOF
TD92N16KOF,可控硅整流器,品牌:Infineon,封装:5-Pin,参数:类型:PCT Module; 重复峰值反向电压:1600 V; 最大保持电流:200 mA; 额定平均通态电流:104 A; 浪涌电流额定值:2050 A; 重复峰值正向阻断电压:1600 V; 峰值通态电压:1.62@300A V; ...
SMBJ8.5CA
SMBJ8.5CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8.5V 600W,品牌:Bourns,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 41.7 A; 最大反向漏电流: 4...