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MMBT2484LT1G

MMBT2484LT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:250@1mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.35@0.1mA@1mA V; 最大集电极基极电压:60 V...

74FCT388915TCJG

74FCT388915TCJG,射频IC,锁向环,Zero Delay PLL Clock Driver Single 10MHz to 100MHz,品牌:IDT,封装:28PLCC,咨询购买请致电:0755-83897562

PDTA124XU,115

PDTA124XU,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存...

DAC7644EBG4

DAC7644EBG4,16位四路电压输出数模转换器,由TI原厂生产,SSOP-48封装,参数为:分辨率:16 Bit,转换速率:100 Ksps,架构:R-2R,数字接口类型:Parallel,DAC通道数:4,每芯片输出:4,输出类型:Voltage,满量程误差:±2 mV,积分非线性误差:±3 LSB,最大稳定时...

T494X157M010AT

T494X157M010AT,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-43,X型,参数:容值: 150 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.15 Ohm;外形尺寸: 7.3*4*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8389...

ZMV931TA

ZMV931TA,变容二极管,品牌:Diodes,封装:SOD-323-2,参数:配置:Single; 类型:VCXO|TCXO; 最大反向电压:12 V; 最小二极管电容:13.5@1V pF; 品质因数:300; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562

T495C106K020AHE475

T495C106K020AHE475,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 6032-28,C型,参数:容值: 10 uF;电压: 20 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.475 Ohm;外形尺寸: 6*2.5*3.2 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-...

P6SMB16CAT3G

P6SMB16CAT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 13.6V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 27 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大...

LMC6022IM

LMC6022IM ,低功耗 CMOS 双路运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8 N封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:0.35 MHz,典型转换速率:0.11@5V V/us,轨至轨输出,最大供电电流:0.14@5V mA,最大输入失调电压:9@5V mV,最大输入偏置电流:0.00000004(Typ...

IRF2807ZS

IRF2807ZS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.4mOhms,Id=89A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

EP4CGX75DF27C8

EP4CGX75DF27C8,现场可编程门阵列(FPGA),73920 Cells,1.2V,由Altera原厂生产,FBGA-672封装,详细参数为:所属产品系列:Cyclone IV GX,逻辑单元数量(Cells):73920,逻辑单元数量(Units):73920,典型操作电源电压:1.2 V,最大用户输入/输...

TA6F10AHM3

TA6F10AHM3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Directional 8.55V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-221AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 41.4 A...

SI5338J-B-GM

SI5338J-B-GM,射频IC,锁向环,PLL Clock Generator Single 0.16MHz to 710MHz,品牌:Silicon,封装:24QFN,库存实时更新,咨询购买请致电:0755-83897562

LM2904M

LM2904M ,双路通用运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8 N封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:1 MHz,典型转换速率:0.1 V/us,轨至轨:No,最大供电电流:1.2@5V@-40C to 85C mA,最大输入失调电压:7@26V mV,最大输入偏置电流:0.25@5V uA,典型输入噪声...

TLV2731CDBVRG4

TLV2731CDBVRG4 ,单路 LinCMOS(TM) 轨至轨低功耗运算放大器,TI原厂生产,SOT-23-5封装,参数为:1通道,通用放大器,典型增益带宽:2 MHz,典型转换速率:1.6@5V V/us,轨至轨输出,最大供电电流:1.3@5V mA,最大输入失调电压:3@±2.5V@0C to 70C mV,...

BC858B,215

BC858B,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:220@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA@...

BZX84C11T

BZX84C11T,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-523封装,参数为:Pd=150mW,Nom=11V,Min=10.4V,Max=11.6V,Zzt=20欧姆,Zzk=150欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

TLV70731DQNT

TLV70731DQNT,采用 0.8mm x 0.8mm 超小型 WCSP 封装的 200mA、3.1 V低 IQ、低噪音、低压降稳压器,品牌:TI,封装:SON4X2,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:2 V,最大输入电压:5.5 V,最大输出电流:0.2 A,输出电压:3.1 V,...

TLV2264AQPWRQ1

TLV2264AQPWRQ1 ,汽车类高级 LinCMOS 轨至轨运算放大器,TI原厂生产,TSSOP-14封装,参数为:4通道,通用放大器,典型增益带宽:0.71 MHz,典型转换速率:0.55@5V V/us,轨至轨输出,最大供电电流:1@5V mA,最大输入失调电压:950@±2.5V mV,最大输入偏置电流:0...

SMCJ6038

SMCJ6038, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 109 A; 最大反向漏电流: ...