DF02S2
DF02S2,二极管,整流桥堆,品牌:Fairchild,封装:SDIP-4,参数:配置:Single; 桥型:Single Phase; 峰值反向重复电压:200 V; 峰值反向电流:3 uA; 峰值平均正向电流:2 A; 峰值正向电压:1.1 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface M...
TYN16X-800RT,127
TYN16X-800RT,127,可控硅整流器,品牌:NXP,封装:TO-220F-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:40 mA; 额定平均通态电流:10.2 A; 浪涌电流额定值:210 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.5@32A V; 重复峰值断态电...
SMAJ78E3
SMAJ78E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 78V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 3.6 A; 最大反向漏电流:...
PZTA42T1G
PZTA42T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:25@1mA@10V|40@10mA@10V|40@30mA@10V; 最大工作频率:50(Min) MHz; 最...
LM2941CS/NOPB
LM2941CS/NOPB,1A 低压降可调节稳压器,品牌:TI,封装:TO263-6,详细参数为:电压极性:Positive,类型:Linear,输出数:1,最小输入电压:-15 V,最大输入电压:26 V,最大输出电流:1A,输出电压:5 to 20 V,典型压差电压@电流:0.11@100mA|0.5@1A V,...
BC808-40E6433
BC808-40E6433,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:25 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:250@100mA@1V|40@500mA@1V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集...
ARD50024QJ
ARD50024QJ,射频开关,RF Switch SPDT 0MHz to 26.5GHz 55dB,品牌:Panasonic,封装:RF,咨询购买请致电:0755-83897562
J431-18M
J431-18M,继电器,SPDT,1ADC/0.25AAC,18VDC,2.3KOhm,品牌:Teledyne,参数:类型:Established Reliability Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:1DC|0.25AC A; DC直流线圈电压:18 V; 线圈电流:7.83 mA; 线圈电阻:...
SZ1SMC20AT3G
SZ1SMC20AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 20V 1.5KW,品牌:ON,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 46.3 A; 最大反向漏电流: 5 uA...
LM3940ISX-3.3/NOPB
LM3940ISX-3.3/NOPB,用于 5V 至 3.3V 转换的 1A 低压降稳压器,品牌:TI,封装:TO263-4,详细参数为:电压极性:Positive,类型:Linear,输出数:1,最小输入电压:4.5 V,最大输入电压:7.5 V,最大输出电流:1A,输出电压:3.3 V,典型压差电压@电流:0.5@...
M1A3PE3000L-FGG484I
M1A3PE3000L-FGG484I,现场可编程门阵列(FPGA),3M Gates,781.25MHz,130nm (CMOS) Technology,1.2V,由Microsemi原厂生产,FBGA-484封装,详细参数为:所属产品系列:ProASIC3EL,逻辑门数量(Gates):3000000,系统门数量(...
T491C226M006AT7280
T491C226M006AT7280,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 6032-28,C型,参数:容值: 22 uF;电压: 6.3 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 1.8 Ohm;外形尺寸: 6*2.5*3.2 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8...
EP2C50U484I8N
EP2C50U484I8N,现场可编程门阵列(FPGA),50528 Cells,402.58MHz,90nm Technology,1.2V,由Altera原厂生产,UFBGA-484封装,详细参数为:所属产品系列:Cyclone II,逻辑单元数量(Cells):50528,逻辑单元数量(Units):50528,...
ER412ZM4-26B
ER412ZM4-26B,继电器,DPDT,1ADC/0.25AAC,26.5VDC,1.56KOhm,品牌:Teledyne,参数:类型:Established Reliability Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1DC|0.25AC A; DC直流线圈电压:26.5 V; 线圈电流:16.99...
MCR100-8RLG
MCR100-8RLG,可控硅整流器,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:5 mA; 浪涌电流额定值:10 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.7@1A V; 重复峰值断态电流:0.01 mA; 最大栅极触发电压:0.8 V; 最...
BCX54-10,115
BCX54-10,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:63@150mA@2V; 最大工作频率:180(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@50mA@50...
IRF3805S
IRF3805S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.3mOhms,Id=220A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
VS-ST330C16C1L
VS-ST330C16C1L,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AB-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:1600 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:720 A; 浪涌电流额定值:9420 A; 重复峰值正向阻断电压:1600 V; 峰值通态电压:1.96@1810A V;...
DDA144EU-7-F
DDA144EU-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:68@5mA@5V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
1N6037A
1N6037A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 124 A; 最大反向漏电流: 500 ...