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R574312535

R574312535,射频开关,RF Switch SP5T 0MHz to 3GHz 80dB,品牌:Radiall,封装:RF,咨询购买请致电:0755-83897562

SN10501

SN10501,低失真高速轨至轨输出运算放大器,TI原厂生产,SOT-23-5,VSSOP-8,8MSOP-PowerPAD,SOIC-8封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

LP2985AIM5X-2.0/NOPB

LP2985AIM5X-2.0/NOPB,具有关断状态和 1% 容限的 150mA 低噪声低压降稳压器,品牌:TI,封装:SOT23-5,详细参数为:电压极性:Positive,类型:Linear,输出数:1,最小输入电压:2.2 V,最大输入电压:16 V,最大输出电流:0.15 A,输出电压:2 V,典型压差电压@...

T495X476M025ATE185

T495X476M025ATE185,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-43,X型,参数:容值: 47 uF;电压: 25 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.185 Ohm;外形尺寸: 7.3*4*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-...

T495X477K006ATE05072

T495X477K006ATE0507280,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-43,X型,参数:容值: 470 uF;电压: 6.3 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.05 Ohm;外形尺寸: 7.3*4*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:...

CL05B473KB5VPNC

CL05B473KB5VPNC,汽车用X7R电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值47 nF,电压50 Vdc,封装尺寸1.0 x 0.5mm (0402),厚度0.5 mm,精度± 10 %.咨询购买请致电:0755-83897562

PTVS54VS1UR,115

PTVS54VS1UR,115, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 54V 400W,品牌:NXP,封装:SOD-123W,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 4.6 A; 最大反向漏电流...

ADSP-BF514BSWZ-4

ADSP-BF514BSWZ-4,品牌:Analog Devices,封装:LQFP-176 EP,详细参数:数字和算术格式:Fixed-Point,最大速度:400 MHz,RAM大小:48 KB,数据总线宽度:16|32 Bit,设备输入时钟速度:400 MHz,指令集架构:Modified Harvard,工作电...

TIM1314-30L

TIM1314-30L,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 7-AA03A,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:20000 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-...

A54SX32A-2PQ208

A54SX32A-2PQ208,现场可编程门阵列(FPGA),32K Gates,1800 Cells,313MHz,0.25um/0.22um (CMOS) Technology,2.5V,由Microsemi原厂生产,PQFP-208封装,详细参数为:所属产品系列:SX-A,逻辑门数量(Gates):32000,逻...

LP3986TL-2929/NOPB

LP3986TL-2929/NOPB,采用微型 SMD 封装的双路微功耗 150 mA 超低压降 CMOS 电压稳压器,品牌:TI,封装:uSMD-8,详细参数为:电压极性:Positive,类型:Linear,输出数:2,最小输入电压:2.7 V,最大输入电压:6 V,最大输出电流:0.15|0.15 A,输出电压:...

LM317LCDR

LM317LCDR,100mA 可调节正电压稳压器,品牌:TI,封装:SOIC-8,详细参数为:电压极性:Positive,类型:Linear,输出数:1,最小输入电压:3.7 V,最大输入电压:38 V,最大输出电流:0.1 A,输出电压:1.2 to 32 V,线性调整:0.02 %V,负载调节:0.5(Typ) ...

BT138X-600,127

BT138X-600,127,可控硅整流器,品牌:NXP,封装:TO-220F-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:30 mA; 浪涌电流额定值:105 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.65@15A V; 重复峰值断态电流:0.5 mA; 最大栅极触发...

MJD210T4G

MJD210T4G,功率晶体管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:25 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:70@500mA@1V|45@2A@1V|10@5A@2V; 最大工作频率:65(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:...

BTA312X-800B,127

BTA312X-800B,127,可控硅整流器,品牌:NXP,封装:TO-220F-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:60 mA; 浪涌电流额定值:110 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.6@15A V; 重复峰值断态电流:0.5 mA; 最大栅极触...

BD244CG

BD244CG,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:6 A; 最小DC直流电流增益:30@0.3A@4V|15@3A@4V; 最大工作频率:3(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@1A@6...

R573903400

R573903400,射频开关,RF Switch SP4T 0MHz to 2.5GHz 70dB,品牌:Radiall,封装:RF,咨询购买请致电:0755-83897562

APA600-FG256

APA600-FG256,现场可编程门阵列(FPGA),600K Gates,180MHz,0.22um (CMOS) Technology,2.5V,由Microsemi原厂生产,FBGA-256封装,详细参数为:所属产品系列:ProASICPLUS,逻辑门数量(Gates):600000,系统门数量(System ...

SMBJ6.0CAE3

SMBJ6.0CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 58.3 A; 最大反向漏电流...

P6KE75ARLG

P6KE75ARLG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 64.1V 600W,品牌:ON,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 5.8 A; 最大反向漏电流: 5 uA;...