CL10C330JB8NFNC
CL10C330JB8NFNC,电源应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值33 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC4487S-AN
2SC4487S-AN,功率晶体管,品牌:ON,封装:NMP-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:140@100mA@2V; 最大工作频率:150(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@100mA@2A V;...
CWR29DK475KBCZ
CWR29DK475KBCZ,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: C型,参数:容值: 4.7 uF;电压: 6 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 2.2 Ohm;外形尺寸: 5.08*1.27*1.27 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562
LMH6639MF
LMH6639MF ,具有禁用功能的 190MHz 轨至轨输出放大器,TI原厂生产,SOT-23-6封装,参数为:1通道,电压反馈放大器,典型增益带宽:86 MHz,典型转换速率:172@5V V/us,轨至轨输出,最大供电电流:5.8@5V mA,最大输入失调电压:5@5V mV,最大输入偏置电流:2.6@5V uA...
R574433040
R574433040,射频开关,RF Switch SP10T 0MHz to 18GHz 55dB,品牌:Radiall,封装:RF,咨询购买请致电:0755-83897562
2SA1507S
2SA1507S,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-126ML-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:160 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:140@10mA@5V; 最大工作频率:120(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@50mA@50...
TS820-600T
TS820-600T,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220AB-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:5 mA; 额定平均通态电流:5 A; 浪涌电流额定值:73 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.6@16A V; 重复...
TRJB336K010SRJ
TRJB336K010SRJ,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 3528-21,B型,参数:容值: 33 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 1 Ohm;外形尺寸: 3.5*1.9*2.8 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562...
HHM1533
HHM1533,其它射频IC,Multilayer Baluns,品牌:TDK,封装:6SMD,咨询购买请致电:0755-83897562
TPS70348PWPG4
TPS70348PWPG4,双路输出低压降 (LDO) 稳压器,品牌:TI,封装:HTSSOP-24 EP,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:2,最小输入电压:2.7 V,最大输入电压:6 V,最大输出电流:1|2 A,输出电压:3.3|1.5 V,最大功耗:4115 mW,典型压差电压@电流:0.16@...
STM32F101C8U6
STM32F101C8U6,单片机，微控制器，36MHz，32位，64KB闪存，10K RAM内存,品牌:ST,封装:48-UFQFN,参数:MCU,36MHz,32Bit,64KB Flash,10K RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
DFB20100
DFB20100,二极管,整流桥堆,品牌:Fairchild,封装:TS-6P-4,参数:配置:Single; 桥型:Single Phase; 峰值反向重复电压:1000 V; 峰值反向电流:10 uA; 峰值平均正向电流:20 A; 峰值正向电压:1.1 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Thr...
AX125-FG324I
AX125-FG324I,现场可编程门阵列(FPGA),82K Gates,1344 Cells,649MHz,0.15um (CMOS) Technology,1.5V,由Microsemi原厂生产,FBGA-324封装,详细参数为:所属产品系列:Axcelerator,逻辑门数量(Gates):82000,逻辑单元...
AGLN125V2-VQG100I
AGLN125V2-VQG100I,现场可编程门阵列(FPGA),125K Gates,130nm (CMOS) Technology,1.2V/1.5V,由Microsemi原厂生产,VQFP-100封装,详细参数为:所属产品系列:IGLOO nano,逻辑门数量(Gates):125000,系统门数量(System...
CWR19FB107JBHB
CWR19FB107JBHB,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: H型,参数:容值: 100 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 5%;等效串联电阻: 0.9 Ohm;外形尺寸: 7.24*2.79*3.81 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562
ADC10464CIWM
ADC10464CIWM,具有输入多路复用器和采样/保持功能的10位600 ns A/D 转换器,由TI原厂生产,SOIC-28 W封装,参数为:分辨率:10 Bit,采样速率:800 ksps,ADC数量:1,模拟输入数量:4,是否差分输入:No,数字接口类型:Parallel,输入类型:Voltage,输入电压极性...
T494C476K016AT
T494C476K016AT,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 6032-28,C型,参数:容值: 47 uF;电压: 16 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.5 Ohm;外形尺寸: 6*2.5*3.2 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-838975...
PMBTA56,235
PMBTA56,235,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@1V|100@100mA@1V; 最大工作频率:50(Min) MHz; 最大集电极发射极饱...
OPA336UA/2K5G4
OPA336UA/2K5G4 ,MicroAmplifier(TM) 系列单电源、微功耗 CMOS 运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:1通道,通用放大器,典型增益带宽:0.1 MHz,典型转换速率:0.03@5V V/us,轨至轨输出,最大输入失调电压:0.5@5.5V mV,最大输入偏置电流:0.0...
STM8S007C8T6
STM8S007C8T6,单片机，微控制器，24MHz，8位，64KB闪存，6K RAM内存,品牌:ST,封装:48-LQFP,参数:MCU,24MHz,8Bit,64KB Flash,6K RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562