LM3302DRG4
LM3302DRG4 ,四路通用差动比较器,TI原厂生产,SOIC-14封装,参数为:4 路, 输出类型:Open Collector, 典型响应时间:1.3 us,典型电压增益:89.54 dB,最小单电源电压:2 V,最大单电源电压:28 V,最小双电源电压:±1 V,最大双电源电压:±14 V,温度范围:-40 ...
TAZB105K020CWSZ0000
TAZB105K020CWSZ0000,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: B型,参数:容值: 1 uF;电压: 20 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 12 Ohm;外形尺寸: 3.81*1.27*1.27 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562...
2SAR522EBTL
2SAR522EBTL,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SOT-416FL-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:120@1mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@10mA@0.2A V; 最大集电极基极电压:2...
CY2304SI-1
CY2304SI-1,射频IC,锁向环,Zero Delay PLL Clock Buffer Single 10MHz to 133MHz,品牌:Cypress,封装:8SOIC,咨询购买请致电:0755-83897562
BTA08-700BRG
BTA08-700BRG,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220AB-3 Isolated,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:700 V; 最大保持电流:50 mA; 浪涌电流额定值:84 A; 重复峰值正向阻断电压:700 V; 峰值通态电压:1.75@11A V; 重...
IRF7526D1
IRF7526D1,集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=200.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=400.0mOhms,Qg Typ=7.5nC,Rth(JC)=100 (JA)K/W,库...
T491C225K035AT
T491C225K035AT,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 6032-28,C型,参数:容值: 2.2 uF;电压: 35 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 3.5 Ohm;外形尺寸: 6*2.5*3.2 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897...
T491C476K010AH
T491C476K010AH,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 6032-28,C型,参数:容值: 47 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 1.2 Ohm;外形尺寸: 6*2.5*3.2 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-838975...
IRLML6244
IRLML6244,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TVS312
TVS312, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single 12V 150W,品牌:Microsemi,封装:2Case A,参数:配置: Single; 峰值脉冲功率耗散: 150 W; 最大峰值脉冲电流: 7.1 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 21 V; 最大反向关态电压: 12 ...
CY25814SXCT
CY25814SXCT,射频IC,锁向环,PLL Frequency Synthesizer Single,品牌:Cypress,封装:8SOIC,库存实时更新,咨询购买请致电:0755-83897562
T491A105K016ZT
T491A105K016ZT,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 3216-18,A型,参数:容值: 1 uF;电压: 16 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 10 Ohm;外形尺寸: 3.2*1.6*1.6 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-838975...
T409H475K050CBT200
T409H475K050CBT200,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: H型,参数:容值: 4.7 uF;电压: 50 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 1.5 Ohm;外形尺寸: 7.24*2.79*3.81 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8389...
BZG04-39TR3
BZG04-39TR3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single 39V 300W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 4.6 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 65.5 V; 最大反向关态电压: 39 ...
BA12003BF-E2
BA12003BF-E2,三极管,达林顿管,品牌:Rohm,封装:SOP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@250uA@100mA|1.3@35...
CC1020RSSR
CC1020RSSR,射频传感器,RF Transceiver FSK/GFSK/OOK 3V,品牌:TI,封装:32VQFN EP,库存实时更新,咨询购买请致电:0755-83897562
DDTA114YLP-7
DDTA114YLP-7,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:DFN-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报...
BTA208-800B/L01,12
BTA208-800B/L01,12,可控硅整流器,品牌:NXP,封装:TO-220AB-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:60 mA; 浪涌电流额定值:71 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.65@10A V; 重复峰值断态电流:0.5 mA; 最大...
MJD127
MJD127,贴片达林顿晶体管,由ON原厂生产,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pcm=1500mW,Ic=8000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=100012000,Vce(sat)=4V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
J255-12M/Q
J255-12M/Q,继电器,DPDT,2A,12VDC,254Ohm,品牌:Teledyne,参数:类型:Magnetic Latching Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:2 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:47.24 mA; 线圈电阻:254 Ohm; 触点材质:Gold Plat...