TAJX476M016RNJ
TAJX476M016RNJ,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 7343-15,X型,参数:容值: 47 uF;电压: 16 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.9 Ohm;外形尺寸: 7.3*1.5*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-838975...
VCUT05D1-SD0-G4-08
VCUT05D1-SD0-G4-08,ESD静电抑制器,TVS二极管,品牌:Vishay,封装:SMD-2,参数:类型:TVS; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:13 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±30@Air Gap/±30@Contact Disc kV; 最...
CDSOT563-T05C
CDSOT563-T05C, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Quint Uni-Dir/Bi-Dir 5V 100W,品牌:Bourns,封装:6SOT-563,参数:配置: Quint; 方向类型: Uni-Directional|Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 100 W; 最大峰值...
PBHV9115X,115
PBHV9115X,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:150 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:100@50mA@10V|100@100mA@10V|10@1A@10V; 最大工作频率:115(Typ) MH...
BUL138
BUL138,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:8@2A@5V|10@10mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.2A@1A|0.7...
J412DYM-12L
J412DYM-12L,继电器,DPDT,1ADC/0.1AAC,12VDC,390Ohm,品牌:Teledyne,参数:类型:Established Reliability Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1DC|0.1AC A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:30.77 mA; 线圈电阻...
R585463200
R585463200,射频开关,RF Switch DP3T 0MHz to 18GHz 60dB,品牌:Radiall,封装:RF,咨询购买请致电:0755-83897562
LP2980IM5X-5.0
LP2980IM5X-5.0,采用 SOT-23 封装的微功耗 50 mA 超低压降稳压器,品牌:TI,封装:SOT23-5,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:2.1 V,最大输入电压:16 V,最大输出电流:0.05 A,输出电压:5 V,典型压差电压@电流:0.001@0A|0.00...
SMF18A-GS08
SMF18A-GS08,ESD静电抑制器,TVS二极管,品牌:Vishay,封装:DO-219AB-2,参数:类型:TVS; 引脚数量:2; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:29.2 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±30@Air Gap/±30@Contact Disc kV; ...
XC5VFX30T-1FFG665C
XC5VFX30T-1FFG665C,现场可编程门阵列(FPGA),65nm (CMOS) Technology,1V,由Xilinx原厂生产,FCBGA-665封装,详细参数为:所属产品系列:Virtex-5 FXT,典型操作电源电压:1 V,最大用户输入/输出数量:360,内存RAM位数:2506752,在系统可编...
B45196E6684K209
B45196E6684K209,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 3528-21,B型,参数:容值: 0.68 uF;电压: 35 Vdc;公差精度: 10%;外形尺寸: 3.5*1.9*2.8 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF8721
IRF8721,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.5mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MUN5131DW1T1G
MUN5131DW1T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-88-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:8@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更...
DTA114YETL
DTA114YETL,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:EMT-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:68@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-8...
CL10C300JB8NNND
CL10C300JB8NNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值30 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
G2RL1A4EDC5
G2RL1A4EDC5,继电器,SPST-NO,16A,5VDC,62.5Ohm,品牌:Omron,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:5 V; 线圈电流:80 mA; 线圈电阻:62.5 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Fre...
TAZH106K035CBSZ0800
TAZH106K035CBSZ0800,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: H型,参数:容值: 10 uF;电压: 35 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.9 Ohm;外形尺寸: 7.24*2.79*3.81 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-838975...
ADS8864IDGSR
ADS8864IDGSR,具有18位,333kSPS和串行接口的微功耗小型差动输入,由TI原厂生产,VSSOP-10封装,参数为:分辨率:16 Bit,采样速率:400 ksps,ADC数量:1,模拟输入数量:1,架构:SAR,是否差分输入:No,数字接口类型:Serial (3-Wire, 4-Wire, SPI),...
SGW15N120FKSA1
SGW15N120FKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8...
TMD0305-2
TMD0305-2,射频运放模块,RF Amp Module Single Power Amp 15V,品牌:Toshiba,封装:92-11E1A,咨询购买请致电:0755-83897562