A3PE1500-1FGG676I
A3PE1500-1FGG676I,现场可编程门阵列(FPGA),1.5M Gates,272MHz,130nm (CMOS) Technology,1.5V,由Microsemi原厂生产,FBGA-676封装,详细参数为:所属产品系列:ProASIC3E,逻辑门数量(Gates):1500000,系统门数量(Syst...
T495D336M025AHE300
T495D336M025AHE300,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 33 uF;电压: 25 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.3 Ohm;外形尺寸: 7.3*2.8*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-...
W194-70G
W194-70G,射频IC,锁向环,Zero Delay PLL Frequency Multiplier Single 10MHz to 133MHz,品牌:Cypress,封装:8SOIC,咨询购买请致电:0755-83897562
REG1117-5
REG1117-5,单输出 LDO、800mA、固定电压 (5.0V)、内部电流限制、过热保护,品牌:TI,封装:SOT223-4,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:3.8 V,最大输入电压:15 V,最大输出电流:0.8 A,输出电压:5 V,典型压差电压@电流:1@100mA|1.0...
A42MX36-1CQ256B
A42MX36-1CQ256B,现场可编程门阵列(FPGA),54K Gates,1184 Cells,90MHz/151MHz,0.45um (CMOS) Technology,3.3V/5V,由Microsemi原厂生产,CQFP-256封装,详细参数为:所属产品系列:42MX,逻辑门数量(Gates):54000...
BCP56T1G
BCP56T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:25@5mA@2V|40@150mA@2V|25@500mA@2V; 最大工作频率:130(Typ) MHz; 最大集电极发...
5CGXBC4C6U19C7N
5CGXBC4C6U19C7N,现场可编程门阵列(FPGA),50000 Cells,28nm 1.1V,由Altera原厂生产,UBGA-484封装,详细参数为:所属产品系列:Cyclone V GX,逻辑单元数量(Cells):50000,逻辑单元数量(Units):50000,寄存器数量(Registers):7...
1N6375HE3
1N6375HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 90 A; 最大反向漏电流: 2 u...
PEMB19,115
PEMB19,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-666-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及...
SM6T36A
SM6T36A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 30.8V 600W,品牌:ST,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 62 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA; 最大钳...
G6S2GYTRDC45BYOMR
G6S2GYTRDC45BYOMR,继电器,DPDT,2A,4.5VDC,品牌:Omron,参数:类型:Signal Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:2 A; DC直流线圈电压:4.5 V; 触点材质:Silver/Gold Clad; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:220...
TAJB107M006RNJ
TAJB107M006RNJ,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 3528-21,B型,参数:容值: 100 uF;电压: 6.3 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 1.7 Ohm;外形尺寸: 3.5*1.9*2.8 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8389...
IRF6217PBF-1
IRF6217PBF-1,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2400.0mOhms,Qg Typ=6nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ZL30414QGG1
ZL30414QGG1,射频IC,锁向环,PLL Clock Multiplier Single,品牌:Microsemi,封装:64TQFP,咨询购买请致电:0755-83897562
BFP405H6740XTSA1
BFP405H6740XTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-343-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:4.5 V; 最大DC直流集电极电流:0.025 A; 最小DC直流电流增益:60@5mA@4V; 最大工作频率:25000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压...
CT-38S160
CT-38S160,射频开关,RF Switch Single SP6T 0MHz to 22000MHz 70dB,品牌:Teledyne Relays,封装:RF,咨询购买请致电:0755-83897562
XC7K420T-L2FFG1156E
XC7K420T-L2FFG1156E,现场可编程门阵列(FPGA),416960 Cells,28nm Technology,1V,由Xilinx原厂生产,FCBGA-1156封装,详细参数为:所属产品系列:Kintex-7,逻辑单元数量(Cells):416960,逻辑单元数量(Units):260600,寄存器数...
412H-26
412H-26,继电器,DPDT,1ADC/0.25AAC,26.5VDC,1.56KOhm,品牌:Teledyne,参数:类型:High Temperature and High Performance Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1DC|0.25AC A; DC直流线圈电压:26.5 V; 线...
TLN104
TLN104,红外发射管,TOSHIBA原厂生产,TOP1.6-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
R412414000
R412414000,固定衰减器,Fixed Coaxial Attenuators 2GHz 14dB,品牌:Radiall,封装:RF,咨询购买请致电:0755-83897562