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CWR29NK155KBFZ

CWR29NK155KBFZ,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: F型,参数:容值: 1.5 uF;电压: 50 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 1.1 Ohm;外形尺寸: 5.59*1.78*3.43 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562

TLE2024CNE4

TLE2024CNE4 ,四路精密低功耗单电源运算放大器,TI原厂生产,PDIP-14封装,参数为:4通道,通用放大器,典型增益带宽:1.7 MHz,典型转换速率:0.5@5V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:1.2@5V mA,最大输入失调电压:1.1@5V mV,最大输入偏置电流:0.07@5V uA,典型输...

TLV2542CDGK

TLV2542CDGK,12位200kSPS ADC,具有串行输出、TMS320 兼容(最高 10MHz)、双通道和自动扫略,由TI原厂生产,VSSOP-8封装,参数为:分辨率:12 Bit,采样速率:200 ksps,ADC数量:1,模拟输入数量:2,架构:SAR,是否差分输入:No,数字接口类型:Serial (3...

XC2S200-6FG256C

XC2S200-6FG256C,现场可编程门阵列(FPGA),200K Gates,5292 Cells,263MHz,0.18um Technology,2.5V,由Xilinx原厂生产,FBGA-256封装,详细参数为:所属产品系列:Spartan-II,逻辑门数量(Gates):200000,逻辑单元数量(Cel...

IRF3717

IRF3717,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=20V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.4mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

TMPG06-10AHE3

TMPG06-10AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8.55V 400W,品牌:Vishay,封装:2Case MPG06,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 27.6 A; ...

A42MX09-1PQG160I

A42MX09-1PQG160I,现场可编程门阵列(FPGA),14K Gates,336 Cells,148MHz/247MHz,0.45um (CMOS) Technology,3.3V/5V,由Microsemi原厂生产,PQFP-160封装,详细参数为:所属产品系列:42MX,逻辑门数量(Gates):1400...

STR910FAW32X6

STR910FAW32X6,单片机,微控制器,96MHz,32位,256KB闪存,64K RAM内存,品牌:ST,封装:128-LQFP,参数:MCU,96MHz,32Bit,256KB Flash,64K RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562

LM97937RMER

LM97937RMER,具有SNRBoost、Bit-Burst和JESD204B 输出的双路 9位370MSPS ADC,由TI原厂生产,WQFN-56 EP封装,参数为:分辨率:14 Bit,采样速率:370 Msps,ADC数量:2,模拟输入数量:2,架构:Pipelined,是否差分输入:Yes,数字接口类型:...

BTA416Y-800C,127

BTA416Y-800C,127,可控硅整流器,品牌:NXP,封装:TO-220AB-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:35 mA; 浪涌电流额定值:176 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.5@20A V; 重复峰值断态电流:2 mA; 最大栅极触发...

R413825121

R413825121,固定衰减器,Fixed Attenuator 25dB 26.5GHz,品牌:Radiall,封装:RF,咨询购买请致电:0755-83897562

T498D106K035ATA70072

T498D106K035ATA7007280,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 10 uF;电压: 35 Vdc;公差精度: 10%;外形尺寸: 7.3*2.8*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 150 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562

A3P060-1FG144

A3P060-1FG144,现场可编程门阵列(FPGA),60K Gates,272MHz,130nm (CMOS) Technology,1.5V,由Microsemi原厂生产,FBGA-144封装,详细参数为:所属产品系列:ProASIC3,逻辑门数量(Gates):60000,系统门数量(System Gates...

ATF-501P8-TR2

ATF-501P8-TR2,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:LPCC-8,参数:配置:Single Dual Source; 最大漏源电压:7 V; 最大连续漏极电流:1000 mA; 最大门源电压:0.8 V; 最大漏极栅极电压:-5 to 1 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surfac...

AMC1203BPSAR

AMC1203BPSAR,1位10MHz 2 阶隔离式 Δ-Σ 调制器,由TI原厂生产,SOP-8封装,参数为:分辨率:16 Bit,采样速率:40 ksps,ADC数量:1,模拟输入数量:1,架构:Delta-Sigma,是否差分输入:Yes,数字接口类型:Serial,输入类型:Voltage,输入电压极性:Bip...

T491X108K006AT

T491X108K006AT,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-43,X型,参数:容值: 1000 uF;电压: 6.3 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.6 Ohm;外形尺寸: 7.3*4*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-838...

TLV2341

TLV2341,LinCMOS(TM) 可编程低电压运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8,PDIP-8封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

VS-VSKH41/06

VS-VSKH41/06,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:ADD-A-PAK-5,参数:类型:SCR Module; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:200 mA; 额定平均通态电流:45 A; 浪涌电流额定值:985 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.81 V; 重复峰...

5V925BQGI

5V925BQGI,射频IC,锁向环,PROGRAMMABLE LVCMOS/LVTTL CLOCK GENERATOR,品牌:IDT,封装:16QSOP,咨询购买请致电:0755-83897562

ADF7023-JBCPZ

ADF7023-JBCPZ,射频传感器,RF Transceiver FSK/GFSK/GMSK/MSK 3V,品牌:ADI(Analog Devices),封装:32LFCSP EP,库存实时更新,咨询购买请致电:0755-83897562