1V5KE300CA
1V5KE300CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 256V 1.5KW,品牌:Fairchild,封装:DO-201AE,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 3.8 A; 最大反向漏...
TLE2071IDR
TLE2071IDR ,低噪声高速 JFET 输入运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:1通道,通用放大器,典型增益带宽:9.4 MHz,典型转换速率:35@±5V V/us,轨至轨:No,最大输入失调电压:4@±5V mV,最大输入偏置电流:0.000175@±5V uA,典型输入噪声电压密度:48@±...
TLC7524ENE4
TLC7524ENE4,8位，0.1us MDAC，并行输入，DSP 快速控制信号，简单微接口,由TI原厂生产,PDIP-16封装,参数为:分辨率:8 Bit,转换速率:10 Msps,架构:R-2R,数字接口类型:Parallel,DAC通道数:1,每芯片输出:1,输出类型:Current,满量程误差:±2.5 LS...
SMV1215-001
SMV1215-001,变容二极管,品牌:Skyworks,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:Tuner|VCO; 最小调谐比:5(Typ); 最大反向电压:12 V; 最小二极管电容:8.7@1V pF; 调谐比测试条件:1/4 V; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报...
SMA6F7.5A-M3
SMA6F7.5A-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7.5V 4KW,品牌:Vishay,封装:2SlimSMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 4000 W; 最大峰值脉冲电流: 235 A; 最大反向漏电...
DAC8803IDBT
DAC8803IDBT,14位四通道串行接口乘法数模转换器,由TI原厂生产,SSOP-28封装,参数为:分辨率:14 Bit,架构:R-2R|Current Steering,数字接口类型:Serial (3-Wire, SPI),DAC通道数:4,每芯片输出:4,输出类型:Current,满量程误差:±3 mV,积分...
FTR-P1CN009W
FTR-P1CN009W,继电器,SPDT,30A,9VDC,135Ohm,品牌:Fuji,参数:类型:SPDT; 触点形式:30 A; DC直流线圈电压:9 V; 线圈电流:66.67 mA; 线圈电阻:135 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide Indium; 最大额定DC直流电压:16 V; 工...
T491D225K050AT7280
T491D225K050AT7280,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 2.2 uF;电压: 50 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 2.5 Ohm;外形尺寸: 7.3*2.8*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755...
OPA2725AIDRG4
OPA2725AIDRG4 ,双路极低噪声、高速、12V CMOS 运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:20 MHz,典型转换速率:30@12V V/us,轨至轨输出,最大输入失调电压:5@±6V mV,最大输入偏置电流:0.0002@±6V uA,典型输入噪声电压密度...
MAX2601ESA+
MAX2601ESA+,功率晶体管,品牌:Maxim,封装:SOIC-8 EP,参数:类型:NPN; 引脚数量:8; 最大集电极发射极电压:17 V; 最大DC直流集电极电流:1.2 A; 最小DC直流电流增益:100@250mA@3V; 最大工作频率:1000 MHz; 最大集电极基极电压:15 V; 工作温度:-4...
STW82103B
STW82103B,高低变化混合器,Up/Down Conv Mixer 3.3V/5V 2.7GHz,品牌:STM,封装:44VFQFPN EP,咨询购买请致电:0755-83897562
SFH9330
SFH9330,凹槽型开关,由OSRAM原厂生产,GAP3.18-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SPC560P50L3CEFBR
SPC560P50L3CEFBR,单片机，微控制器，64MHz，32位，512KB闪存，40K RAM内存,品牌:ST,封装:100-LQFP,参数:MCU,64MHz,32Bit,512KB Flash,40K RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
PESD5V0U1BLD,315
PESD5V0U1BLD,315,ESD静电抑制器,TVS二极管,品牌:NXP,封装:SOD-882-2,参数:类型:TVS; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:10@Contact Disc/10@HBM/0.4@MM kV; 最大工作电压:5 V; 最大...
TAJS334K050RNJ
TAJS334K050RNJ,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 3216-12,S型,参数:容值: 0.33uF;电压: 50V;公差精度: 10%;外形尺寸: 3.2 X 1.6 X 1.2mm;等效串联电阻: 11 Ohm.咨询购买请致电:0755-83897562
XC6VHX380T-1FFG1924C
XC6VHX380T-1FFG1924C,现场可编程门阵列(FPGA),382464 Cells,40nm (CMOS) Technology,1V,由Xilinx原厂生产,FCBGA-1924封装,详细参数为:所属产品系列:Virtex-6 HXT,逻辑单元数量(Cells):382464,逻辑单元数量(Units)...
TLC139MJB
TLC139MJB ,四路微功耗 LinCMOS(TM) 比较器,TI原厂生产,CDIP-14封装,参数为:4 路, 输出类型:Open Drain, 典型响应时间:2.5 us,最小单电源电压:4 V,最大单电源电压:16 V,温度范围:-55 to 125 ℃，库存实时更新.咨询购买请致电:0755-8389756...
T543X476M035AHE030
T543X476M035AHE030,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-43,X型,参数:容值: 47 uF;电压: 35 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.03 Ohm;外形尺寸: 7.3*4*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 105 ℃.咨询购买请致电:0755-8...
T409H685J035BCT250
T409H685J035BCT250,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: H型,参数:容值: 6.8 uF;电压: 35 Vdc;公差精度: 5%;等效串联电阻: 1.3 Ohm;外形尺寸: 7.24*2.79*3.81 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897...
BF556A,215
BF556A,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:30 V; 最大连续漏极电流:7 mA; 最大门源电压:-30 V; 最大漏极栅极电压:-30 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...