TIP2955
TIP2955,功率晶体管,品牌:ST Micro,封装:TO-247-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:15 A; 最小DC直流电流增益:20@4A@4V|5@10A@4V; 最大工作频率:3(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.4A...
J432-36WL
J432-36WL,继电器,DPDT,1ADC/0.25AAC,36VDC,品牌:Teledyne,参数:类型:Established Reliability Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1DC|0.25AC A; DC直流线圈电压:36 V; 触点材质:Precious Metal/Gold P...
IRGS14C40LTRLP
IRGS14C40LTRLP,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:370 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:10 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-VSKTF180-12HKP
VS-VSKTF180-12HKP,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:MAGN-A-PAK-7,参数:类型:SCR Module; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:180 A; 浪涌电流额定值:7470 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:1...
BU1008-E3/51
BU1008-E3/51,二极管,整流桥堆,品牌:Vishay,封装:Case-4 BU,参数:配置:Single; 桥型:Single Phase; 峰值反向重复电压:800 V; 峰值反向电流:5 uA; 峰值平均正向电流:3.2 A; 峰值正向电压:1.05@5A V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装...
TPS76750QPWPG4
TPS76750QPWPG4,单输出 LDO、1.0A、固定电压 (5.0V)、低静态电流、快速瞬态响应,品牌:TI,封装:HTSSOP-20 EP,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:2.7 V,最大输入电压:10 V,最大输出电流:1A,输出电压:5 V,最大功耗:7200 mW,典型...
XC4010-6PC84I
XC4010-6PC84I,现场可编程门阵列(FPGA),10K Gates,400 Cells,100MHz,CMOS Technology,5V,由Xilinx原厂生产,PLCC-84封装,详细参数为:所属产品系列:XC4000,逻辑门数量(Gates):10000,逻辑单元数量(Cells):400,逻辑单元数量...
TL074MWB
TL074MWB ,四路低噪声 JFET 输入通用运算放大器,TI原厂生产,CFPAK-14封装,参数为:4通道,通用放大器,典型增益带宽:3 MHz,典型转换速率:13@±15V V/us,轨至轨:No,最大输入失调电压:9@±15V mV,最大输入偏置电流:0.0002@±15V uA,典型输入噪声电压密度:18@...
T495C107M006ATE15072
T495C107M006ATE1507280,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 6032-28,C型,参数:容值: 100 uF;电压: 6.3 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.15 Ohm;外形尺寸: 6*2.5*3.2 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:...
SMCJ51A
SMCJ51A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 51V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 18.2 A; 最大反向漏电...
ADS7957SDBTR
ADS7957SDBTR,10位,1MSPS、16通道、单端、微功耗、串行接口、SAR ADC,由TI原厂生产,TSSOP-38封装,参数为:分辨率:10 Bit,采样速率:1 MSPS,ADC数量:1,模拟输入数量:16,架构:SAR,是否差分输入:No,数字接口类型:Serial (SPI),输入类型:Voltag...
TLC352CPE4
TLC352CPE4 ,四路低电压 LinCMOS(TM) 差动比较器,TI原厂生产,PDIP-8封装,参数为:2 路, 输出类型:Open Drain, 典型响应时间:0.65 us,最小单电源电压:1.4 V,最大单电源电压:16 V,最小双电源电压:±0.7 V,最大双电源电压:±8 V,温度范围:0 to 70...
TPS77825DR
TPS77825DR,单输出 LDO、750mA、固定电压 (2.5V)、快速瞬态响应、电源良好 (PG) 输出,品牌:TI,封装:SOIC-8,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:2.7 V,最大输入电压:10 V,最大输出电流:0.75 A,输出电压:2.5 V,最大功耗:904 mW...
TPSC226K016S0375
TPSC226K016S0375,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 6032-28,C型,参数:容值: 22 uF;电压: 16 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.375 Ohm;外形尺寸: 6*2.6*3.2 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8389...
MPC961CAC
MPC961CAC,射频IC,锁向环,Zero Delay PLL Clock Buffer Single,品牌:IDT,封装:32TQFP,咨询购买请致电:0755-83897562
CD214C-T64CALF
CD214C-T64CALF, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 64V 1.5KW,品牌:Bourns,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 14.6 A;...
1.5KE75A-B
1.5KE75A-B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 64.1V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 14.6 A; 最大反向漏电...
MK2049-45ASILF
MK2049-45ASILF,射频IC,锁向环,PLL Frequency Synthesizer Dual,品牌:IDT,封装:20SOIC,咨询购买请致电:0755-83897562
CWR19FC686KBGZ
CWR19FC686KBGZ,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: G型,参数:容值: 68 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 1.1 Ohm;外形尺寸: 6.73*2.79*2.79 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562
AFS250-2FG256
AFS250-2FG256,现场可编程门阵列(FPGA),250K Gates,1470.59MHz,130nm (CMOS) Technology,1.5V,由Microsemi原厂生产,FBGA-256封装,详细参数为:所属产品系列:Fusion,逻辑门数量(Gates):250000,系统门数量(System G...