SS9018HBU
SS9018HBU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:15 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:97@1mA@5V; 最大工作频率:1100(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@1mA...
TPSD227K010Y0150
TPSD227K010Y0150,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 220 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.15 Ohm;外形尺寸: 7.3*2.9*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83...
TLC081IDRG4
TLC081IDRG4 ,单路宽带高输出驱动单电源运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:1通道,通用放大器,典型增益带宽:10 MHz,典型转换速率:16@5V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:2.5@5V mA,最大输入失调电压:1.9@5V mV,最大输入偏置电流:0.00005@5V uA,典...
B45196H3157K409
B45196H3157K409,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 150 uF;电压: 16 Vdc;公差精度: 10%;外形尺寸: 7.3*2.8*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562
TAJB475M016RY
TAJB475M016RY,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 3528-21,B型,参数:容值: 4.7uF;电压: 16V;公差精度: 20%;外形尺寸: 3.5 X 2.8 X 1.9mm.咨询购买请致电:0755-83897562
BB181,135
BB181,135,变容二极管,品牌:NXP,封装:SOD-523-2,参数:配置:Single; 应用频率范围:VHF; 类型:Tuner|VCO; 最小调谐比:12; 最大反向电压:30 V; 最小二极管电容:8@0.5V pF; 调谐比测试条件:0.5/28 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及...
LP2967ITP-1833/NOPB
LP2967ITP-1833/NOPB,采用微型 SMD 封装的双路微功耗 150 mA 低压降稳压器,品牌:TI,封装:uSMD-8,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:2,最小输入电压:2.1 V,最大输入电压:16 V,最大输出电流:0.15|0.15 A,输出电压:1.8|3.3 V,典型压差电压@...
FGA20N120FTDTU
FGA20N120FTDTU,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-3P(N)-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±25 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:075...
TL3116IDG4
TL3116IDG4 ,超快低功耗精密比较器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:1 路, 输出类型:Complementary, 最小单电源电压:5 V,最大单电源电压:10 V,最小双电源电压:±2.5 V,最大双电源电压:±5 V,温度范围:-40 to 85 ℃，库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83...
LMC6482AIN/NOPB
LMC6482AIN/NOPB ,CMOS 双路轨至轨输入和输出运算放大器,TI原厂生产,PDIP-8封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:1.5 MHz,典型转换速率:1.3@5V V/us,轨至轨输入/输出,最大供电电流:1.4@5V mA,最大输入失调电压:0.75@5V mV,最大输入偏置电流:0.0...
ATF1502AS-15JC44
ATF1502AS-15JC44单片机,高性能,可编程逻辑器件由ATMEL原厂生产,采用PLCC封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
TIP141G
TIP141G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:1000@5A@4V|500@10A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@10mA@5A|3@40mA@10A ...
XC4VLX160-10FF1148CE
XC4VLX160-10FF1148CES1,现场可编程门阵列(FPGA),152064 Cells,90nm (CMOS) Technology,1.2V,由Xilinx原厂生产,FCBGA-1148封装,详细参数为:所属产品系列:Virtex-4 LX,逻辑单元数量(Cells):152064,逻辑单元数量(Uni...
SMAJ58CAHE3
SMAJ58CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 58V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 4.3 A; 最大反向漏电流: 1 uA; ...
TAZB105K020CBSB0023
TAZB105K020CBSB0023,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: B型,参数:容值: 1 uF;电压: 20 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 12 Ohm;外形尺寸: 3.81*1.27*1.27 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562...
XA3S100E-4CPG132I
XA3S100E-4CPG132I,现场可编程门阵列(FPGA),100K Gates,2160 Cells,572MHz,90nm Technology,1.2V,由Xilinx原厂生产,CSBGA-132封装,详细参数为:所属产品系列:XA Spartan-3E,逻辑门数量(Gates):100000,逻辑单元数量...
TL054CD
TL054CD ,四路增强型 JFET 精密运算放大器,TI原厂生产,SOIC-14封装,参数为:4通道,通用放大器,典型增益带宽:2.7 MHz,典型转换速率:15.4@±5V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:11.2@±5V mA,最大输入失调电压:5.5@±5V mV,最大输入偏置电流:0.0002@±5V...
SMA5J24CA-E3
SMA5J24CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 24V 500W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 12.9 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
IRGC100B60UB
IRGC100B60UB,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=2.8V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF640NL
IRF640NL,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=150.0mOhms,Id=18A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562