TPST105K020R2000
TPST105K020R2000,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 3528-12,T型,参数:容值: 1 uF;电压: 20 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 2 Ohm;外形尺寸: 3.5*1.2*2.8 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8389756...
CRS-33S3C-T
CRS-33S3C-T,射频开关,RF Switch 2P3T 0MHz to 22GHz 50dB,品牌:Teledyne Relays,封装:RF,咨询购买请致电:0755-83897562
MC88916DW80
MC88916DW80,射频IC,锁向环,PLL Clock Driver Single 40MHz to 80MHz,品牌:IDT,封装:20SOIC,咨询购买请致电:0755-83897562
XC4008E-4PC84C
XC4008E-4PC84C,现场可编程门阵列(FPGA),8K Gates,770 Cells,0.35um Technology,5V,由Xilinx原厂生产,PLCC-84封装,详细参数为:所属产品系列:XC4000E,逻辑门数量(Gates):8000,逻辑单元数量(Cells):770,逻辑单元数量(Unit...
XC6SLX9-3CPG196I
XC6SLX9-3CPG196I,现场可编程门阵列(FPGA),9152 Cells,45nm (CMOS) Technology,1.2V,由Xilinx原厂生产,CSBGA-196封装,详细参数为:所属产品系列:Spartan-6 LX,逻辑单元数量(Cells):9152,逻辑单元数量(Units):9152,寄...
MAX12005ETM+T
MAX12005ETM+T,其它射频IC,Satellite IF Switch,品牌:Maxim,封装:48TQFN EP,咨询购买请致电:0755-83897562
BFM520,115
BFM520,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TSSOP-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:8 V; 最大DC直流集电极电流:0.07 A; 最小DC直流电流增益:60@20mA@6V; 最大工作频率:9000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-65 ...
EP2C50F484I8
EP2C50F484I8,现场可编程门阵列(FPGA),50528 Cells,402.58MHz,90nm Technology,1.2V,由Altera原厂生产,FBGA-484封装,详细参数为:所属产品系列:Cyclone II,逻辑单元数量(Cells):50528,逻辑单元数量(Units):50528,最大...
SMCJ7.5CA-13
SMCJ7.5CA-13, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7.5V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 116.3 A; 最大反向漏电流: ...
XC2VP30-6FF896I
XC2VP30-6FF896I,现场可编程门阵列(FPGA),30816 Cells,1200MHz,0.13um/90nm (CMOS) Technology,1.5V,由Xilinx原厂生产,FCBGA-896封装,详细参数为:所属产品系列:Virtex-II Pro,逻辑单元数量(Cells):30816,逻辑单...
TPS76815QPWPR
TPS76815QPWPR,单输出 LDO、1.0A、固定电压 (1.5V)、低静态电流、快速瞬态响应,品牌:TI,封装:HTSSOP-20 EP,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:2.7 V,最大输入电压:10 V,最大输出电流:1A,输出电压:1.5 V,最大功耗:4100 mW,精...
SMLJ14A
SMLJ14A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 14V 3KW,品牌:Bourns,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 129.4 A; 最大反向漏...
IRGP4640D-EPBF
IRGP4640D-EPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AD-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:65 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 175 ℃. 询报...
SD101AW
SD101AW,贴片肖特基二极管,由CJ原厂生产,SOD-123封装,参数为:Pd=400mW,Vr=60V,Vf=1V,Ir=0.2uA,Trr=1nS,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STM32F030C6T6
STM32F030C6T6,单片机，微控制器，48MHz，32位，32KB闪存，4K RAM内存,品牌:ST,封装:48-LQFP,参数:MCU,48MHz,32Bit,32KB Flash,4K RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
1.5KE180CA-B
1.5KE180CA-B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 154V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.1 A; 最大反向漏电流:...
CESD5V0D1
CESD5V0D1,贴片TVS二极管,由CJ原厂生产,SOD-123封装,参数为:Vrwm=5V,Min=6.2V,Max=7.3V,Ir=1uA,It=1mA,Vc=13V,Ipp=13A,C=95+pF,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A3PN125-1VQ100I
A3PN125-1VQ100I,现场可编程门阵列(FPGA),125K Gates,130nm (CMOS) Technology,1.5V,由Microsemi原厂生产,VQFP-100封装,详细参数为:所属产品系列:ProASIC3 nano,逻辑门数量(Gates):125000,系统门数量(System Gat...
SMCJ5663A
SMCJ5663A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 145V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.4 A; 最大反向...
ADS5287IRGCR
ADS5287IRGCR,低功耗8通道，10位，65MSPS ADC具有串行LVDS接口,由TI原厂生产,VQFN-64 EP封装,参数为:分辨率:10 Bit,采样速率:65 Msps,ADC数量:8,模拟输入数量:8,架构:Pipelined,是否差分输入:Yes,数字接口类型:Serial|LVDS,输入类型:V...