STM32F407VGT7TR
STM32F407VGT7TR,单片机，微控制器，168MHz，32位，1MB闪存，192K RAM内存,品牌:ST,封装:100-LQFP,参数:MCU,168MHz,32Bit,1MB Flash,192K RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
FGPF15N60UNDF
FGPF15N60UNDF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-220F-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8...
SMP100LC-270
SMP100LC-270,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:DO-214AA-2,参数:类型:SIDAC; 重复峰值反向电压:270 V; 最大保持电流:150(Min) mA; 浪涌电流额定值:24 A; 重复峰值正向阻断电压:270 V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 工作温度...
PCM1789TPWRQ1
PCM1789TPWRQ1,汽车类 113dB SNR 立体声 DAC,由TI原厂生产,TSSOP-24封装,参数为:分辨率:24 Bit,转换速率:192 Ksps,架构:Delta-Sigma,数字接口类型:Serial (3-Wire),DAC通道数:2,每芯片输出:2,输出类型:Voltage,信噪比:113(...
VS-VSKT26/08
VS-VSKT26/08,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:ADD-A-PAK-7,参数:类型:SCR Module; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:200 mA; 额定平均通态电流:27 A; 浪涌电流额定值:420 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.65 V; 重复峰...
P6KE440ARL
P6KE440ARL, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 376V 600W,品牌:ST,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 5.2 A; 最大反向漏电流: 500 uA...
TPS73601DRBR
TPS73601DRBR,单路输出 LDO、400mA、可调节电压（1.2 至 5.5V）、无电容、低噪声、反向电流保护,品牌:TI,封装:VSON-8 EP,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:1.7 V,最大输入电压:5.5 V,最大输出电流:0.4 A,输出电压:1.2 to 5.5...
BGA612H6327XTSA1
BGA612H6327XTSA1,射频运放芯片,RF Amp Chip Single GP 6GHz 2.8V(3+Tab),品牌:Infineon,封装:4SOT-343,咨询购买请致电:0755-83897562
TPS79918DDCTG4
TPS79918DDCTG4,200mA,输出,低瞬态电流，超低噪声，高 PSRR 低压降线性稳压器,品牌:TI,封装:SOT5,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:2.7 V,最大输入电压:6.5 V,最大输出电流:0.2 A,输出电压:1.8 V,精度:±1 %,线性调整:0.02(T...
IRFSL7537
IRFSL7537,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.3mOhms,Id=173A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
B45197A5476M409
B45197A5476M409,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 47 uF;电压: 25 Vdc;公差精度: 20%;外形尺寸: 7.3*2.8*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562
ADC102S051CIMM
ADC102S051CIMM,双通道、200ksps至500ksps、10位A/D 转换器,由TI原厂生产,MSOP-8封装,参数为:分辨率:10 Bit,采样速率:500 ksps,ADC数量:1,模拟输入数量:2,架构:SAR,是否差分输入:No,数字接口类型:Serial (4-Wire, SPI, QSPI, ...
SMCJ6045E3
SMCJ6045E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 14V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 56.5 A; 最大反向漏...
BZW04-58-E3
BZW04-58-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 58.1V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 4.3 A; 最大反向漏电...
S4282-51
S4282-51,光电传感器,由HAMAMATSU原厂生产,TOP-SMD4封装,参数描述:灵敏度高,性能稳定,光谱范围宽,能耐高温,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBZ5222C
MMBZ5222C,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=2.5V,Min=2.45V,Max=2.55V,Zzt=30欧姆,Zzk=1250欧姆,Ir=100uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SMA6J18A-E3
SMA6J18A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 18V 4KW,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 4000 W; 最大峰值脉冲电流: 102 A; 最大反向漏电流: 0.2 ...
VS-70MT160PAPBF
VS-70MT160PAPBF,二极管,整流桥堆,品牌:Vishay,封装:7-Pin,参数:配置:Single; 桥型:Three Phase; 峰值反向重复电压:1600 V; 峰值反向电流:5000 uA; 峰值平均正向电流:75 A; 峰值正向电压:1.45@70A V; 工作温度:-40 to 150 ℃; ...
BZT52C10
BZT52C10,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-123封装,参数为:Pd=350mW,Nom=10V,Min=9.4V,Max=10.6V,Zzt=20欧姆,Zzk=150欧姆,Ir=0.2uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
M39016/42-043M
M39016/42-043M,继电器,DPDT,1ADC/0.25AAC,12VDC,800Ohm,品牌:Teledyne,参数:类型:Centigrid Established Reliability Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1DC|0.25AC A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流...