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DDTA124TCA-7-F

DDTA124TCA-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mou...

TLE2084CDWR

TLE2084CDWR ,双路高速 JFET 输入运算放大器,TI原厂生产,SOIC-16封装,参数为:4通道,通用放大器,典型增益带宽:9.4 MHz,典型转换速率:35@±5V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:7.5@±5V mA,最大输入失调电压:7@±5V mV,最大输入偏置电流:0.175@±5V uA...

TPS79630KTTR

TPS79630KTTR,单输出 LDO、1.0A、固定电压 (3.0V)、低噪声、高 PSRR,品牌:TI,封装:TO263-6,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:2.7 V,最大输入电压:5.5 V,最大输出电流:1A,输出电压:3 V,典型压差电压@电流:0.25@1A V,精度:...

SMBJ17CE3

SMBJ17CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 17V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 19.7 A; 最大反向漏电流:...

A42MX16-1VQ100I

A42MX16-1VQ100I,现场可编程门阵列(FPGA),24K Gates,608 Cells,119MHz/198MHz,0.45um (CMOS) Technology,3.3V/5V,由Microsemi原厂生产,VQFP-100封装,详细参数为:所属产品系列:42MX,逻辑门数量(Gates):24000...

J422-6PM

J422-6PM,继电器,DPDT,1ADC/0.25AAC,6VDC,120Ohm,品牌:Teledyne,参数:类型:Magnetic Latching Established Reliability Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1DC|0.25AC A; DC直流线圈电压:6 V; 线圈电流...

SIIM-012SB

SIIM-012SB,红外发射管,ROHM原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

ISL55015IEZ-T7

ISL55015IEZ-T7,射频运放芯片,RF Amp Chip Single GP 2.9GHz 5.5V,品牌:Intersil,封装:6SC-70,咨询购买请致电:0755-83897562

SMCJ70CA-M3

SMCJ70CA-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 70V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 13.3 A; 最大反向漏电流: 1 u...

T492B685K010DHT100

T492B685K010DHT100,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 3528-21,B型,参数:容值: 6.8 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 3.5 Ohm;外形尺寸: 3.5*1.9*2.8 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755...

A3290KUA-T

A3290KUA-T,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:双磁极锁存,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

ISO122JU

ISO122JU ,成本最低的精密隔离放大器,TI原厂生产,SOP-8封装,参数为:1 路隔离放大器, 最低CMRR值:0(Typ) dB,电源类型:Dual,最小双电源电压:±4.5 V,最大双电源电压:±18 V,温度范围:-25 to 85 ℃,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

SM15T100A

SM15T100A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 85.5V 1.5KW,品牌:ST,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 56 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA;...

TPSW336K016H0250

TPSW336K016H0250,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 6032-15,W型,参数:容值: 33 uF;电压: 16 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.25 Ohm;外形尺寸: 6*1.5*3.2 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897...

STGD10NC60KDT4

STGD10NC60KDT4,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致...

NSVMUN5213DW1T3G

NSVMUN5213DW1T3G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....

CL21C221JCANNNC

CL21C221JCANNNC,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值220 pF,电压100 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562

F720G107MRC

F720G107MRC,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 7260-15,R型,参数:容值: 100 uF;电压: 4 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.7 Ohm;外形尺寸: 7.2*1.2*6 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562

OPA358AIDCKR

OPA358AIDCKR , 3V 单电源 80MHz 高速运算放大器,TI原厂生产,SC-70-6封装,参数为:1通道,通用放大器,典型增益带宽:80 MHz,典型转换速率:55@3.3V V/us,轨至轨输出,最大输入失调电压:6@3.3V mV,最大输入偏置电流:0.00005@3.3V uA,典型输入噪声电压密...

T409G106K025PKT100

T409G106K025PKT100,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: G型,参数:容值: 10 uF;电压: 25 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 1.4 Ohm;外形尺寸: 6.73*2.79*2.79 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897...