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【RF射频IC及微波元器件】5P49V5901A039NLGI
5P49V5901A039NLGI,射频IC,锁向环,Programmable PLL Clock Generator Single 1MHz to 350MHz,品牌:IDT,封装:24VFQFPN,咨询购买请致电:0755-83897562
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【RF射频IC及微波元器件】5P49V5901A039NLGI8
5P49V5901A039NLGI8,射频IC,锁向环,Programmable PLL Clock Generator Single 1MHz to 350MHz,品牌:IDT,封装:24VFQFPN,咨询购买请致电:0755-83897562
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【RF射频IC及微波元器件】5P49V5901A040NLGI
5P49V5901A040NLGI,射频IC,锁向环,Programmable PLL Clock Generator Single 1MHz to 350MHz,品牌:IDT,封装:24VFQFPN,咨询购买请致电:0755-83897562
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【RF射频IC及微波元器件】5P49V5901A040NLGI8
5P49V5901A040NLGI8,射频IC,锁向环,Programmable PLL Clock Generator Single 1MHz to 350MHz,品牌:IDT,封装:24VFQFPN,咨询购买请致电:0755-83897562
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【RF射频IC及微波元器件】5P49V5901A041NLGI
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【RF射频IC及微波元器件】5P49V5901A041NLGI8
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【RF射频IC及微波元器件】5P49V5901A043NLGI
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【RF射频IC及微波元器件】5P49V5901A043NLGI8
5P49V5901A043NLGI8,射频IC,锁向环,Programmable PLL Clock Generator Single 1MHz to 350MHz,品牌:IDT,封装:24VFQFPN,咨询购买请致电:0755-83897562
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【RF射频IC及微波元器件】5P49V5901A045NLGI
5P49V5901A045NLGI,射频IC,锁向环,Programmable PLL Clock Generator Single 1MHz to 350MHz,品牌:IDT,封装:24VFQFPN,咨询购买请致电:0755-83897562
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【RF射频IC及微波元器件】5P49V5901A045NLGI8
5P49V5901A045NLGI8,射频IC,锁向环,Programmable PLL Clock Generator Single 1MHz to 350MHz,品牌:IDT,封装:24VFQFPN,咨询购买请致电:0755-83897562
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【RF射频IC及微波元器件】5P49V5901A046NLGI
5P49V5901A046NLGI,射频IC,锁向环,Programmable PLL Clock Generator Single 1MHz to 350MHz,品牌:IDT,封装:24VFQFPN,咨询购买请致电:0755-83897562
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【保护器件(TVS-ESD)】P4SMA91CA-E3
P4SMA91CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 77.8V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 3.2 A; 最大反向漏电流: 1 u...
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【保护器件(TVS-ESD)】P4SMA91CAHE3
P4SMA91CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 77.8V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 3.2 A; 最大反向漏电流: 1 u...
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【保护器件(TVS-ESD)】P6SMB39A-E3
P6SMB39A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 33.3V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 11.1 A; 最大反向漏电流: 1...
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【保护器件(TVS-ESD)】P6SMB39AHE3
P6SMB39AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 33.3V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 11.1 A; 最大反向漏电流: 1...
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【保护器件(TVS-ESD)】P6SMB39AT3G
P6SMB39AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 33.3V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 11.2 A; 最大反向漏电流: 5 uA;...
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【保护器件(TVS-ESD)】P6SMB39CA-E3
P6SMB39CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 33.3V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 11.1 A; 最大反向漏电流: 1 ...
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【保护器件(TVS-ESD)】P6SMB39CAHE3
P6SMB39CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 33.3V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 11.1 A; 最大反向漏电流: 1 ...
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【保护器件(TVS-ESD)】P6SMB39CAT3G
P6SMB39CAT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 33.3V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 11.2 A; 最大反向漏电流: 5 uA; ...
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【保护器件(TVS-ESD)】P6SMB9.1A-E3
P6SMB9.1A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7.78V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 44.8 A; 最大反向漏电流: ...
