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【保护器件(TVS-ESD)】RF1493-000
RF1493-000,聚合物ESD静电抑制器,品牌:TE,封装:3-Pin,参数:类型:Polymer; 引脚数量:3; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:15@HBM KV; 电容值:4200(Typ) pF; 最低工作温度:-40 ℃; 最大工作温度:85 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及... -
【保护器件(TVS-ESD)】RF1901-000
RF1901-000,聚合物ESD静电抑制器,品牌:TE,封装:3-Pin,参数:类型:Polymer; 引脚数量:3; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:15@HBM kV; 电容值:4200(Typ) pF; 最低工作温度:-40 ℃; 最大工作温度:85 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:07... -
【保护器件(TVS-ESD)】RF2195-000
RF2195-000,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TE,封装:DFN-2,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:10 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:20@Air Gap/20@Contact Disc kV; 最大漏电流:0... -
【保护器件(TVS-ESD)】RSB39VTE-17
RSB39VTE-17,稳压型ES抑制器,品牌:Rohm,封装:UMD-2,参数:类型:Zener; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 每芯片单元数目:1; 最大漏电流:0.1 uA; 电容值:30 pF; 最低工作温度:-55 ℃; 最大工作温度:150 ℃; 安装方式:Surface Mou... -
【保护器件(TVS-ESD)】SESD0201P1BN-0400-090
SESD0201P1BN-0400-090,ESD静电抑制器,品牌:TE,封装:CSP-2,参数:引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±16@Air Gap/±10@Contact Disc kV; 最大工作电压:6 V; 最大漏电流:1 uA; 电容值:5 ... -
【保护器件(TVS-ESD)】SESD0201X1UN-0020-090
SESD0201X1UN-0020-090,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TE,封装:DFN-2,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:2; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:9.2 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:20@Air Gap/20@Contact Dis... -
【保护器件(TVS-ESD)】SESD0402P1BN-0450-090
SESD0402P1BN-0450-090,ESD静电抑制器,品牌:TE,封装:CSP-2,参数:引脚数量:2; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±16@Air Gap/±10@Contact Disc kV; 最大工作电压:6 V; 最大漏电流:1 uA; 电容值:5... -
【保护器件(TVS-ESD)】SESD0402Q2UG-0020-090
SESD0402Q2UG-0020-090,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TE,封装:DFN-3,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:9.2 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:20@Air Gap/20@Contact Dis... -
【保护器件(TVS-ESD)】SESD0402X1BN-0010-098
SESD0402X1BN-0010-098,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TE,封装:DFN-2,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:10 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:20@Air Gap/20@Contact Disc ... -
【保护器件(TVS-ESD)】SESD0402X1UN-0020-090
SESD0402X1UN-0020-090,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TE,封装:DFN-2,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:2; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:9.2 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:20@Air Gap/20@Contact Dis... -
【保护器件(TVS-ESD)】SESD0802Q4UG-0020-090
SESD0802Q4UG-0020-090,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TE,封装:DFN-5,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:5; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:9.2 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:20@Air Gap/20@Contact Dis... -
【保护器件(TVS-ESD)】SZMMBZ9V1ALT1G
SZMMBZ9V1ALT1G,稳压型ES抑制器,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:Zener; 配置:Dual Common Anode; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:14 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:16@HBM|400@MM kV; 最大工... -
【保护器件(TVS-ESD)】SZMMBZ9V1ALT3G
SZMMBZ9V1ALT3G,稳压型ES抑制器,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:Zener; 配置:Dual Common Anode; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:14 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:16@HBM|400@MM kV; 最大工... -
【保护器件(TVS-ESD)】TPD2E009DBZR
TPD2E009DBZR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SOT-23-3,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:8 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±8@Air Gap/±8@Contact Disc kV; 最大... -
【保护器件(TVS-ESD)】TPD2E009DRTR
TPD2E009DRTR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SOT-3,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:8 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±8@Air Gap/±8@Contact Disc kV; 最大工作电... -
【保护器件(TVS-ESD)】TPD4S009DBVR
TPD4S009DBVR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SOT-23-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±9@Air Gap/±8@Contact Disc kV; 最大工作电压:5.5 V; ... -
【保护器件(TVS-ESD)】TPD4S009DBVRG4
TPD4S009DBVRG4,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SOT-23-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±9@Air Gap/±8@Contact Disc kV; 最大工作电压:5.5 V... -
【保护器件(TVS-ESD)】TPD4S009DCKR
TPD4S009DCKR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SC-70-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±9@Air Gap/±8@Contact Disc kV; 最大工作电压:5.5 V; 电... -
【保护器件(TVS-ESD)】TPD4S009DCKRG4
TPD4S009DCKRG4,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SC-70-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±9@Air Gap/±8@Contact Disc kV; 最大工作电压:5.5 V;... -
【保护器件(TVS-ESD)】TPD4S009DGSR
TPD4S009DGSR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:VSSOP-10,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:10; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±9@Air Gap/±8@Contact Disc kV; 最大工作电压:5.5 V;...