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【通用三极管】2SD789
2SD789,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=750mW,Ic=1000mA,BVcbo=100V,BVceo=50V,BVebo=6V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=800,Vce(sat)=0.3V,fr=100+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【通用三极管】2SD874
2SD874,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=1000mA,BVcbo=30V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=85,hfe(Max)=340,Vce(sat)=0.4V,fr=200+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【通用三极管】2SD874A
2SD874A,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=1000mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=85,hfe(Max)=340,Vce(sat)=0.4V,fr=200+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-8389756... -
【通用三极管】2SD879
2SD879,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=750mW,Ic=3000mA,BVcbo=30V,BVceo=10V,BVebo=6V,hfe(Min)=140,hfe(Max)=-,Vce(sat)=0.4V,fr=200+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【通用三极管】2SD880
2SD880,晶体管,三极管,TO-220-3L封装,参数为:Pcm=1500mW,Ic=3000mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=7V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=300,Vce(sat)=1V,fr=3+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【通用三极管】2SD886
2SD886,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=3000mA,BVcbo=50V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=80+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【通用三极管】2SD886
2SD886,晶体管,三极管,TO-126C封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=3000mA,BVcbo=50V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=80+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【通用三极管】3CA1837
3CA1837,晶体管,三极管,TO-220F封装,参数为:Pcm=1500mW,Ic=1000mA,BVcbo=230V,BVceo=230V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1.5V,fr=30MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【通用三极管】3CA8772
3CA8772,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=3000mA,BVcbo=40V,BVceo=30V,BVebo=6V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=50MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF7854
IRF7854,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=80V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=13.4mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF7853
IRF7853,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=18.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF8010S
IRF8010S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=15.0mOhms,Id=80A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF5801
IRF5801,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TSOP-6 (Micro 6)封装,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=2200.0mOhms,Id=0.6A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF5802
IRF5802,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TSOP-6 (Micro 6)封装,参数为:VBrds=150V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=1200.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRFSL38N20D
IRFSL38N20D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=54.0mOhms,Id=44A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF7488
IRF7488,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=80V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=29.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRFR18N15D
IRFR18N15D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=150V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=125.0mOhms,Id=18A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRFR3518
IRFR3518,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=80V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=29.0mOhms,Id=38A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRFPS3810
IRFPS3810,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Super 247 (TO-274AA)封装,参数为:VBrds=100V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=9.0mOhms,Id=141A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRFPS3815
IRFPS3815,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Super 247 (TO-274AA)封装,参数为:VBrds=150V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=15.0mOhms,Id=105A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562