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【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ17E3
SMAJ17E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 17V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 16.4 A; 最大反向漏电流...
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【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ17CE3
SMAJ17CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 17V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 16.4 A; 最大反向漏电流:...
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【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ17CAE3
SMAJ17CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 17V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 18.1 A; 最大反向漏电流...
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【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ17AE3
SMAJ17AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 17V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 18.1 A; 最大反向漏电...
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【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ170E3
SMAJ170E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 170V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 1.6 A; 最大反向漏电...
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【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ170CE3
SMAJ170CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 170V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 1.6 A; 最大反向漏电流...
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【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ170CAE3
SMAJ170CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 170V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 1.8 A; 最大反向漏电...
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【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ170AE3
SMAJ170AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 170V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 1.8 A; 最大反向漏...
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【保护器件(TVS-ESD)】P4KE7.5D-E3
P4KE7.5D-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6.4V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-41,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 36 A; 最大反向漏电流: 50...
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【保护器件(TVS-ESD)】P4KE47D-E3
P4KE47D-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 40.2V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-41,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 6.3 A; 最大反向漏电流: 1...
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【保护器件(TVS-ESD)】P4KE27D-E3
P4KE27D-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 23.1V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-41,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 10.8 A; 最大反向漏电流: ...
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【保护器件(TVS-ESD)】15KPA75AE3
15KPA75AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Directional 33V 15000W,品牌:Microsemi,封装:2P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 15000 W; 最大峰值脉冲电流: 276....
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【保护器件(TVS-ESD)】1N6107AUS
1N6107AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8.4V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 32 A; 最大反向漏电流: ...
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【保护器件(TVS-ESD)】1N6107US
1N6107US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8.4V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 32 A; 最大反向漏电流: 2...
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【保护器件(TVS-ESD)】1N6117AUS
1N6117AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 22.8V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 12 A; 最大反向漏电流:...
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【保护器件(TVS-ESD)】1N6117US
1N6117US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 22.8V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 12 A; 最大反向漏电流: ...
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【保护器件(TVS-ESD)】1N6127AUS
1N6127AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 56V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 4.8 A; 最大反向漏电流: ...
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【保护器件(TVS-ESD)】1N6137AUS
1N6137AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 152V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 1.8 A; 最大反向漏电流:...
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【保护器件(TVS-ESD)】1N6467US
1N6467US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 40.3V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 45 A; 最大反向漏电流...
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【保护器件(TVS-ESD)】30KPA70CAE3
30KPA70CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 70V 30KW,品牌:Microsemi,封装:2P600,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 30000 W; 最大峰值脉冲电流: 278 A; 最大反向漏电流:...
