搜索结果：7相关的内容
-
【双N-双P沟道MOS管】IRF7301
IRF7301,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=20V,VGs Max=12V,RDS(on) Max 4.5V=50mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【双N-双P沟道MOS管】IRF7314
IRF7314,双P沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs Max=12V,RDS(on) Max 4.5V=58mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【双N-双P沟道MOS管】IRF7319
IRF7319,1N-1P双沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on)4.5V N-ch=46.0mOhms,RDS(on)4.5V P-ch=98.0mOhms,RDS(on)10V N-ch=29.0mOhms,RDS(on)10V P-ch=5... -
【双N-双P沟道MOS管】IRF7103
IRF7103,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=50V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=200mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【双N-双P沟道MOS管】IRF7910
IRF7910,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=12V,VGs Max=12V,RDS(on) Max 4.5V=15mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【双N-双P沟道MOS管】IRF7329
IRF7329,双P沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-12V,VGs Max=8V,RDS(on) Max 4.5V=17mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【IGBT管-IGBT模块】IRGP4760D
IRGP4760D,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=650V,Ic@100C=60A,Vce(ON)@25C typ=1.7V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【IGBT管-IGBT模块】IRGP4740D
IRGP4740D,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=650V,Ic@100C=40A,Vce(ON)@25C typ=1.7V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【IGBT管-IGBT模块】IRGB4715D
IRGB4715D,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:Vces=650V,Ic@100C=15A,Vce(ON)@25C typ=1.7V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【IGBT管-IGBT模块】IRGP4790
IRGP4790,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=650V,Ic@100C=90A,Vce(ON)@25C typ=1.7V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【IGBT管-IGBT模块】IRGP4790D
IRGP4790D,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=650V,Ic@100C=90A,Vce(ON)@25C typ=1.7V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【IGBT管-IGBT模块】IRGP4760
IRGP4760,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=650V,Ic@100C=60A,Vce(ON)@25C typ=1.7V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【IGBT管-IGBT模块】IRGS4715D
IRGS4715D,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:Vces=650V,Ic@100C=15A,Vce(ON)@25C typ=1.7V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【IGBT管-IGBT模块】IRGP4750D
IRGP4750D,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=650V,Ic@100C=50A,Vce(ON)@25C typ=1.7V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【IGBT管-IGBT模块】IRGC4067B
IRGC4067B,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.7V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【IGBT管-IGBT模块】IRGC75B60UB
IRGC75B60UB,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=2.7V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【IGBT管-IGBT模块】IRGC75B120KB
IRGC75B120KB,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=1200V,Vce(ON)@25C typ=2.1V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【IGBT管-IGBT模块】IRGC75B120UB
IRGC75B120UB,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=1200V,Vce(ON)@25C typ=3.1V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【IGBT管-IGBT模块】IRG7CH46UEF
IRG7CH46UEF,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=1200V,Vce(ON)@25C typ=1.7V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【IGBT管-IGBT模块】IRG4CH71UB
IRG4CH71UB,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=1200V,Vce(ON)@25C typ=2.52V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562