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【功率晶体管】MMBT2907A-7-F
MMBT2907A-7-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:75@0.1mA@10V|100@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V|... -
【功率晶体管】MMBT2907A-13-F
MMBT2907A-13-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:75@0.1mA@10V|100@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V... -
【功率晶体管】MMBT2907A
MMBT2907A,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:75@0.1mA@10V|100@1mA@10V|100@10mA@10V|100@15... -
【功率晶体管】MMBT2222AT-7-F
MMBT2222AT-7-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-523-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:35@0.1mA@10V|50@1mA@10V|75@10mA@10V|100@150mA@10V|... -
【功率晶体管】MMBT2222ALP4-7B
MMBT2222ALP4-7B,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:DFN-3 EP,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:35@0.1mA@10V|50@1mA@10V|75@10mA@10V|100@150mA@10V|... -
【功率晶体管】MMBT2222A-7-F
MMBT2222A-7-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:35@0.1mA@10V|50@1mA@10V|75@10mA@10V|100@150mA@10V|40... -
【功率晶体管】MMBT2222A-7
MMBT2222A-7,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:35@0.1mA@10V|50@1mA@10V|75@10mA@10V|100@150mA@10V|40@5... -
【功率晶体管】MMBT123S-7-F
MMBT123S-7-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:18 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:150@100mA@1V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@30m... -
【功率晶体管】MJE172
MJE172,功率晶体管,品牌:ST Micro,封装:SOT-32-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:50@100mA@1V|30@500mA@1V|12@1.5A@1V; 最大工作频率:50(Min) MHz; 最大集... -
【功率晶体管】MJD47T4
MJD47T4,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:250 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:30@300mA@10V|10@1A@10V; 最大工作频率:10(Min) MHz; 最大集电极... -
【功率晶体管】MAT14ARZ-R7
MAT14ARZ-R7,功率晶体管,品牌:ADI,封装:SOIC-14,参数:类型:NPN; 引脚数量:14; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.03 A; 最小DC直流电流增益:300@1mA|200@1mA; 最大工作频率:300(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.06@... -
【功率晶体管】LBN150B01-7
LBN150B01-7,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-26-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:105@100uA@1V|110@1mA@1V|120@10mA@1V|90@50mA@1V|32@... -
【功率晶体管】JANTXV2N2907AUB
JANTXV2N2907AUB,功率晶体管,品牌:Microsemi,封装:UB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:75@0.1mA@10V|100@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V... -
【功率晶体管】JANTXV2N2907A
JANTXV2N2907A,功率晶体管,品牌:Microsemi,封装:TO-18-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:75@0.1mA@10V|100@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10... -
【可控硅(晶闸管)】TISP4A270H3BJR-S
TISP4A270H3BJR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SMB-2,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:160 V; 最大保持电流:600 mA; 浪涌电流额定值:60 A; 重复峰值正向阻断电压:160 V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 工作温度:-40 to 150 ℃; 安装方式... -
【可控硅(晶闸管)】TISP5070H3BJR-S
TISP5070H3BJR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SMB-2,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:58 V; 最大保持电流:600 mA; 浪涌电流额定值:60 A; 重复峰值正向阻断电压:58 V; 峰值通态电压:3@5A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 工作温度:-40 to... -
【可控硅(晶闸管)】TISP7015DR-S
TISP7015DR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SOIC-8,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:8 V; 最大保持电流:30(Min) mA; 浪涌电流额定值:4 A; 重复峰值正向阻断电压:8 V; 峰值通态电压:4@5A V; 重复峰值断态电流:0.004 mA; 工作温度:-40 to ... -
【可控硅(晶闸管)】TISP7015L1DR-S
TISP7015L1DR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SOIC-8,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:8 V; 最大保持电流:30(Min) mA; 浪涌电流额定值:9 A; 重复峰值正向阻断电压:8 V; 重复峰值断态电流:0.004 mA; 工作温度:-40 to 150 ℃; 安装方式:S... -
【可控硅(晶闸管)】TISP7038L1DR-S
TISP7038L1DR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SOIC-8,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:28 V; 最大保持电流:30(Min) mA; 浪涌电流额定值:9 A; 重复峰值正向阻断电压:28 V; 重复峰值断态电流:0.004 mA; 工作温度:-40 to 150 ℃; 安装方式... -
【可控硅(晶闸管)】TISP7072F3DR-S
TISP7072F3DR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SOIC-8,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:58 V; 最大保持电流:150(Min) mA; 浪涌电流额定值:4.3 A; 重复峰值正向阻断电压:58 V; 峰值通态电压:5@5A V; 重复峰值断态电流:0.01 mA; 工作温度:-...