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【N沟道场效应管】TIM7785-16EL
TIM7785-16EL,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 7-AA05A,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:14000 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:07... -
【N沟道场效应管】2N5247
2N5247,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】2SK170-V(TPE2,F)
2SK170-V(TPE2,F),场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大连续漏极电流:20 mA; 最大漏极栅极电压:-40 V; 工作温度:-55 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897... -
【N沟道场效应管】2SK170BL(F)
2SK170BL(F),场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大连续漏极电流:12 mA; 最大漏极栅极电压:-40 V; 工作温度:-55 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】2SK1875-V(TE85L,F)
2SK1875-V(TE85L,F),场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:USM-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大连续漏极电流:32 mA; 最大漏极栅极电压:-20 V; 工作温度:-55 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8389... -
【N沟道场效应管】NE3517S03-T1C-A
NE3517S03-T1C-A,场效应晶体管,品牌:Renesas,封装:Micro-X-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:70 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式:Surface Moun... -
【N沟道场效应管】TGI7785-50L
TGI7785-50L,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 7-AA04A,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:50 V; 最大连续漏极电流:15000 mA; 最大门源电压:-10 V; 工作温度:-65 to 250 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:07... -
【N沟道场效应管】TTK101MFV-A,L37F(B)
TTK101MFV-A,L37F(B),场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:SOT-723-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:2 V; 最大漏极栅极电压:-20 V; 工作温度:-55 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-838... -
【N沟道场效应管】VCR7N
VCR7N,场效应晶体管,品牌:Vishay,封装:TO-206AF-4,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-25 V; 最大漏极栅极电压:-25 V; 工作温度:-55 to 175 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562 -
【IGBT管-IGBT模块】IKW75N60T
IKW75N60T,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-... -
【IGBT管-IGBT模块】IRG4PSC71UPBF
IRG4PSC71UPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-274AA-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:85 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-... -
【IGBT管-IGBT模块】FGH75N60UFTU
FGH75N60UFTU,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-247AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:150 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-... -
【IGBT管-IGBT模块】FGY75N60SMD
FGY75N60SMD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:Power-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:150 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-... -
【可控硅(晶闸管)】BT236X-800G,127
BT236X-800G,127,可控硅整流器,品牌:NXP,封装:TO-220F-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:40 mA; 浪涌电流额定值:71 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.65@10A V; 重复峰值断态电流:0.5 mA; 最大栅极触发... -
【可控硅(晶闸管)】BT236X-800,127
BT236X-800,127,可控硅整流器,品牌:NXP,封装:TO-220F-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:20 mA; 浪涌电流额定值:71 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.65@10A V; 重复峰值断态电流:0.5 mA; 最大栅极触发电... -
【可控硅(晶闸管)】BT236X-600G,127
BT236X-600G,127,可控硅整流器,品牌:NXP,封装:TO-220F-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:40 mA; 浪涌电流额定值:71 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.65@10A V; 重复峰值断态电流:0.5 mA; 最大栅极触发... -
【可控硅(晶闸管)】BT236X-600F,127
BT236X-600F,127,可控硅整流器,品牌:NXP,封装:TO-220F-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:20 mA; 浪涌电流额定值:71 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.65@10A V; 重复峰值断态电流:0.5 mA; 最大栅极触发... -
【可控硅(晶闸管)】BT236X-600,127
BT236X-600,127,可控硅整流器,品牌:NXP,封装:TO-220F-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:20 mA; 浪涌电流额定值:71 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.65@10A V; 重复峰值断态电流:0.5 mA; 最大栅极触发电... -
【可控硅(晶闸管)】BT234X-800E,127
BT234X-800E,127,可控硅整流器,品牌:NXP,封装:TO-220F-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:15 mA; 浪涌电流额定值:38.5 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.5@6A V; 重复峰值断态电流:0.5 mA; 最大栅极触发... -
【可控硅(晶闸管)】BT234X-800D,127
BT234X-800D,127,可控硅整流器,品牌:NXP,封装:TO-220F-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:6 mA; 浪涌电流额定值:38.5 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.5@6A V; 重复峰值断态电流:0.5 mA; 最大栅极触发电...