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【三星贴片电容(MLCC)】CL31B471KBCNNNC
CL31B471KBCNNNC,通用X7R电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值470 pF,电压50 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度0.85 mm,精度+/-10 %.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【三星贴片电容(MLCC)】CL21B273KBANNND
CL21B273KBANNND,通用X7R电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值27 nF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度+/-10 %.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【三星贴片电容(MLCC)】CL21B272KBANNND
CL21B272KBANNND,通用X7R电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值2.7 nF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度+/-10 %.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【三星贴片电容(MLCC)】CL21A106KQ7LQNC
CL21A106KQ7LQNC,低调X5R电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值10 uF,电压6.3 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.7 mm,精度+/-10 %.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【三星贴片电容(MLCC)】CL10F473ZB8NNND
CL10F473ZB8NNND,通用Y5V电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值47 nF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+80/-20% .咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF3717PBF-1
IRF3717PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=20V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.4mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF7457PBF-1
IRF7457PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=20V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF8707PBF-1
IRF8707PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=11.9mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF8788PBF-1
IRF8788PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.8mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF7809AVPBF-1
IRF7809AVPBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF7831PBF-1
IRF7831PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,RDS(on) Max 10V=3.6mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF7811AVPBF-1
IRF7811AVPBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF7807VD1PBF-1
IRF7807VD1PBF-1,集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=25.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF8736PBF-1
IRF8736PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.8mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF7821PBF-1
IRF7821PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.1mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF8714PBF-1
IRF8714PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.7mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF7807PBF-1
IRF7807PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF7805ZPBF-1
IRF7805ZPBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.8mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF7805PBF-1
IRF7805PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF7807VPBF-1
IRF7807VPBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562