登录
注册账号
|
忘记密码
社交账号登录
首页
产品展示
集成电路(IC)
单片机(微控制器)
逻辑IC
运算放大器(运放)
数据转换器(模数转换)
可编程逻辑器件(FPGA-CPLD)
数字信号处理器(DSP)
电源管理IC
RF射频IC及微波元器件
二极管
开关二极管
稳压二极管
肖特基二极管
PIN二极管
TVS二极管
变容二极管
整流二极管-整流桥堆
三极管
通用三极管
达林顿管
数字晶体管
功率晶体管
其它三极管
场效应管(MosFET)
N沟道场效应管
P沟道场效应管
双N-双P沟道MOS管
IGBT管-IGBT模块
其它场效应管
开关元件
可控硅(晶闸管)
光电耦合器(光耦)
整流器(整流管)
继电器
传感器
光电传感器(槽型开关)
霍尔传感器
声波传感器
气敏传感器
力敏传感器(压力传感器)
热释电红外传感器(PIR)
温度-湿度传感器
其它
光电器件
光电收发器
硅光电池-光电二极管
其它
保护器件(TVS-ESD)
压电晶体,频率元件(晶振)
连接器,接插件
LED显示器件
电容器
三星贴片电容(MLCC)
贴片钽电容
电阻器
电感器
其它产品
优势推荐
每日一推
选型手册
联系我们
搜索
热搜型号
请输入关键词
2024
2025
2n6726
4342
6726
在线支持:
搜索结果:
6036
相关的内容
【硅光电池-光电二极管】S6036
S6036,硅光电池管,由HAMAMATSU原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,直插2PIN波长320-1000mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
【保护器件(TVS-ESD)】1N6036
1N6036, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5.5V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 128 A; 最大反向漏电流: 100...
【保护器件(TVS-ESD)】1N6036A
1N6036A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 132 A; 最大反向漏电流: 1000...
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6036E3
SMCJ6036E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5.5V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 128 A; 最大反向漏...
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6036AE3
SMCJ6036AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 132 A; 最大反向漏电...
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6036A
SMCJ6036A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 132 A; 最大反向漏电流:...
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6036
SMCJ6036, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5.5V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 128 A; 最大反向漏电流...
【RF射频IC及微波元器件】R573603600
R573603600,射频开关,RF Switch SP6T 0MHz to 12.4GHz 60dB,品牌:Radiall,封装:RF,咨询购买请致电:0755-83897562
【达林顿管】2N6036
2N6036,三极管,达林顿管,品牌:ST Micro,封装:SOT-32-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:100@4A@3V|750@2A@3V|500@500mA@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@8mA@...
【运算放大器(运放)】LMC6036
LMC6036,低功耗 2.7V 单电源 CMOS 运算放大器,TI原厂生产,TSSOP-14,SOIC-14封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
【运算放大器(运放)】LMC6036IM
LMC6036IM ,低功耗 2.7V 单电源 CMOS 运算放大器,TI原厂生产,SOIC-14 N封装,参数为:4通道,通用放大器,典型增益带宽:1.4 MHz,典型转换速率:1.5@2.7V V/us,轨至轨输出,最大供电电流:2.7@2.7V mA,最大输入失调电压:5@2.7V mV,典型输入噪声电压密度:2...
【硅光电池-光电二极管】S6036-1
S6036-1,硅光电池管,由HAMAMATSU原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,直插2PIN波长760-1000nm 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
【运算放大器(运放)】LMC6036IMX/NOPB
LMC6036IMX/NOPB ,低功耗 2.7V 单电源 CMOS 运算放大器,TI原厂生产,SOIC-14 N封装,参数为:4通道,通用放大器,典型增益带宽:1.4 MHz,典型转换速率:1.5@2.7V V/us,轨至轨输出,最大供电电流:2.7@2.7V mA,最大输入失调电压:5@2.7V mV,典型输入噪声...
【运算放大器(运放)】LMC6036IMX
LMC6036IMX ,低功耗 2.7V 单电源 CMOS 运算放大器,TI原厂生产,SOIC-14 N封装,参数为:4通道,通用放大器,典型增益带宽:1.4 MHz,典型转换速率:1.5@2.7V V/us,轨至轨输出,最大供电电流:2.7@2.7V mA,最大输入失调电压:5@2.7V mV,典型输入噪声电压密度:...
【运算放大器(运放)】LMC6036IMTX/NOPB
LMC6036IMTX/NOPB ,低功耗 2.7V 单电源 CMOS 运算放大器,TI原厂生产,TSSOP-14封装,参数为:4通道,通用放大器,典型增益带宽:1.4 MHz,典型转换速率:1.5@2.7V V/us,轨至轨输出,最大供电电流:2.7@2.7V mA,最大输入失调电压:5@2.7V mV,典型输入噪声...
【运算放大器(运放)】LMC6036IMTX
LMC6036IMTX ,低功耗 2.7V 单电源 CMOS 运算放大器,TI原厂生产,TSSOP-14封装,参数为:4通道,通用放大器,典型增益带宽:1.4 MHz,典型转换速率:1.5@2.7V V/us,轨至轨输出,最大供电电流:2.7@2.7V mA,最大输入失调电压:5@2.7V mV,典型输入噪声电压密度:...
【运算放大器(运放)】LMC6036IMT/NOPB
LMC6036IMT/NOPB ,低功耗 2.7V 单电源 CMOS 运算放大器,TI原厂生产,TSSOP-14封装,参数为:4通道,通用放大器,典型增益带宽:1.4 MHz,典型转换速率:1.5@2.7V V/us,轨至轨输出,最大供电电流:2.7@2.7V mA,最大输入失调电压:5@2.7V mV,典型输入噪声电...
【运算放大器(运放)】LMC6036IMT
LMC6036IMT ,低功耗 2.7V 单电源 CMOS 运算放大器,TI原厂生产,TSSOP-14封装,参数为:4通道,通用放大器,典型增益带宽:1.4 MHz,典型转换速率:1.5@2.7V V/us,轨至轨输出,最大供电电流:2.7@2.7V mA,最大输入失调电压:5@2.7V mV,典型输入噪声电压密度:2...
【运算放大器(运放)】LMC6036IM/NOPB
LMC6036IM/NOPB ,低功耗 2.7V 单电源 CMOS 运算放大器,TI原厂生产,SOIC-14 N封装,参数为:4通道,通用放大器,典型增益带宽:1.4 MHz,典型转换速率:1.5@2.7V V/us,轨至轨输出,最大供电电流:2.7@2.7V mA,最大输入失调电压:5@2.7V mV,典型输入噪声电...
【达林顿管】2N6036G
2N6036G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-225-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:100@4A@3V|750@2A@3V|500@0.5A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@8mA@2A|3@4...
共
1
页
20
条