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【通用三极管】MMBT3906T
MMBT3906T,贴片晶体管,三极管,SOT-523封装,参数为:Pcm=150mW,Ic=200mA,BVcbo=40V,BVceo=40V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=300,Vce(sat)=0.4V,fr=250MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【通用三极管】MMBTA06
MMBTA06,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=300mW,Ic=500mA,BVcbo=80V,BVceo=80V,BVebo=4V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.25V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【通用三极管】MMBTA56
MMBTA56,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=225mW,Ic=500mA,BVcbo=80V,BVceo=80V,BVebo=4V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.25V,fr=50MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【通用三极管】MMST3906
MMST3906,贴片晶体管,三极管,SOT-323封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=200mA,BVcbo=40V,BVceo=40V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=300,Vce(sat)=0.3V,fr=250MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【通用三极管】MMSTA56
MMSTA56,贴片晶体管,三极管,SOT-323封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=500mA,BVcbo=80V,BVceo=80V,BVebo=4V,hfe(Min)=50,hfe(Max)=-,Vce(sat)=0.25V,fr=50MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF6662
IRF6662,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MZ封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=22.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF6668
IRF6668,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MZ封装,参数为:VBrds=80V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=15.0mOhms,Id=55A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF6665
IRF6665,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET SH封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=62.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF6646
IRF6646,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MN封装,参数为:VBrds=80V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.5mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF6644
IRF6644,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MN封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=13.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF6645
IRF6645,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET SJ封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=35.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF640NS
IRF640NS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=150.0mOhms,Id=18A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF630NS
IRF630NS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=300.0mOhms,Id=9.5A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF7465
IRF7465,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=150V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=280.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRFB4610
IRFB4610,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=14.0mOhms,Id=73A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRFB61N15D
IRFB61N15D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=150V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=32.0mOhms,Id=60A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRFB260N
IRFB260N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=40.0mOhms,Id=56A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF640N
IRF640N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=150.0mOhms,Id=18A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF630N
IRF630N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=300.0mOhms,Id=9.5A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF640NL
IRF640NL,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=150.0mOhms,Id=18A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562