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【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6052E3
SMCJ6052E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 29V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 29 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6052AE3
SMCJ6052AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 30V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 30 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6052A
SMCJ6052A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 30V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 30 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6052
SMCJ6052, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 29V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 29 A; 最大反向漏电流: ... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6051E3
SMCJ6051E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 26V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 31.5 A; 最大反向漏... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6051AE3
SMCJ6051AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 28V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 33 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6051A
SMCJ6051A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 28V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 33 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6051
SMCJ6051, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 26V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 31.5 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6050E3
SMCJ6050E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 24V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 34.5 A; 最大反向漏... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6050AE3
SMCJ6050AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 25V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 36 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6050A
SMCJ6050A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 25V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 36 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6050
SMCJ6050, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 24V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 34.5 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6049E3
SMCJ6049E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 21V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 38.5 A; 最大反向漏... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6049AE3
SMCJ6049AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 22V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 40 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6049A
SMCJ6049A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 22V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 40 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6049
SMCJ6049, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 21V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 38.5 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6048E3
SMCJ6048E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 19V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 43 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6048AE3
SMCJ6048AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 20V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 45 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6048A
SMCJ6048A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 20V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 45 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6048
SMCJ6048, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 19V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 43 A; 最大反向漏电流: ...