登录
注册账号
|
忘记密码
社交账号登录
首页
产品展示
集成电路(IC)
单片机(微控制器)
逻辑IC
运算放大器(运放)
数据转换器(模数转换)
可编程逻辑器件(FPGA-CPLD)
数字信号处理器(DSP)
电源管理IC
RF射频IC及微波元器件
二极管
开关二极管
稳压二极管
肖特基二极管
PIN二极管
TVS二极管
变容二极管
整流二极管-整流桥堆
三极管
通用三极管
达林顿管
数字晶体管
功率晶体管
其它三极管
场效应管(MosFET)
N沟道场效应管
P沟道场效应管
双N-双P沟道MOS管
IGBT管-IGBT模块
其它场效应管
开关元件
可控硅(晶闸管)
光电耦合器(光耦)
整流器(整流管)
继电器
传感器
光电传感器(槽型开关)
霍尔传感器
声波传感器
气敏传感器
力敏传感器(压力传感器)
热释电红外传感器(PIR)
温度-湿度传感器
其它
光电器件
光电收发器
硅光电池-光电二极管
其它
保护器件(TVS-ESD)
压电晶体,频率元件(晶振)
连接器,接插件
LED显示器件
电容器
三星贴片电容(MLCC)
贴片钽电容
电阻器
电感器
其它产品
优势推荐
每日一推
选型手册
联系我们
搜索
热搜型号
2025
2024
2026
4
2014
HSCH-9161
在线支持:
搜索结果:
6
相关的内容
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ6.5CE3
SMAJ6.5CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6.5V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 40.7 A; 最大反向漏电...
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ6.5CAE3
SMAJ6.5CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6.5V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 44.7 A; 最大反向漏...
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ6.5AE3
SMAJ6.5AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6.5V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 44.7 A; 最大反向...
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ6.0E3
SMAJ6.0E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 43.9 A; 最大反向漏电流...
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ6.0CE3
SMAJ6.0CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 43.9 A; 最大反向漏电流:...
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ6.0CAE3
SMAJ6.0CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 48.5 A; 最大反向漏电流...
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ6.0AE3
SMAJ6.0AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 48.5 A; 最大反向漏电...
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ36E3
SMAJ36E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 36V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.8 A; 最大反向漏电流:...
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ36CE3
SMAJ36CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 36V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.8 A; 最大反向漏电流: ...
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ36CAE3
SMAJ36CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 36V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 8.6 A; 最大反向漏电流:...
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ36AE3
SMAJ36AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 36V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 8.6 A; 最大反向漏电流...
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ26E3
SMAJ26E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 26V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 10.7 A; 最大反向漏电流...
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ26CE3
SMAJ26CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 26V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 10.7 A; 最大反向漏电流:...
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ26CAE3
SMAJ26CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 26V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 11.9 A; 最大反向漏电流...
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ26AE3
SMAJ26AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 26V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 11.9 A; 最大反向漏电...
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ16E3
SMAJ16E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 16V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 17.6 A; 最大反向漏电流...
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ16CE3
SMAJ16CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 16V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 17.6 A; 最大反向漏电流:...
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ16CAE3
SMAJ16CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 16V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 19.2 A; 最大反向漏电流...
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ16AE3
SMAJ16AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 16V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 19.2 A; 最大反向漏电...
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ160E3
SMAJ160E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 160V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 1.7 A; 最大反向漏电...
上一页
1996
1997
1998
1999
2000
2001
2002
2003
2004
2005
2006
2007
2008
2009
2010
2011
2012
2013
2014
下一页