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【RF射频IC及微波元器件】HTSH5601ETK,118
HTSH5601ETK,118,其它射频IC,Transponder IC,品牌:NXP,封装:2HVSON,咨询购买请致电:0755-83897562 -
【RF射频IC及微波元器件】HTSICH5601EW/V7,005
HTSICH5601EW/V7,005,其它射频IC,HITAG S Transponder IC 256bit Wafer,品牌:NXP,封装:Wafer,咨询购买请致电:0755-83897562 -
【RF射频IC及微波元器件】IML-0650
IML-0650,其它射频IC,Fresnel Lens Bulk,品牌:Murata,封装:RF,咨询购买请致电:0755-83897562 -
【RF射频IC及微波元器件】LDC311G6003B-601
LDC311G6003B-601,其它射频IC,Hybrid Coupler,品牌:Murata,封装:6-Pin,咨询购买请致电:0755-83897562 -
【RF射频IC及微波元器件】LDD182G4503A-196
LDD182G4503A-196,其它射频IC,Chip Multilayer Hybrid Divider,品牌:Murata,封装:6CSMD,咨询购买请致电:0755-83897562 -
【RF射频IC及微波元器件】LDD211G6103A-095
LDD211G6103A-095,其它射频IC,Hybrid Coupler,品牌:Murata,封装:6-Pin,咨询购买请致电:0755-83897562 -
【RF射频IC及微波元器件】LDD211G7503A-067
LDD211G7503A-067,其它射频IC,Hybrid Coupler,品牌:Murata,封装:6-Pin,咨询购买请致电:0755-83897562 -
【RF射频IC及微波元器件】LDD21967M03A-068
LDD21967M03A-068,其它射频IC,Hybrid Coupler,品牌:Murata,封装:6-Pin,咨询购买请致电:0755-83897562 -
【RF射频IC及微波元器件】LMV226TL/NOPB
LMV226TL/NOPB,其它射频IC,RF Power Detector for CDMA and WCDMA,品牌:TI,封装:4uSMD,咨询购买请致电:0755-83897562 -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ5655E3
SMCJ5655E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 66.4V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 12.7 A; 最... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ5655AE3
SMCJ5655AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 70.1V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 13.3 A; ... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ5655A
SMCJ5655A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 70.1V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 13.3 A; 最大... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ5655
SMCJ5655, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 66.4V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 12.7 A; 最大反... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ5654E3
SMCJ5654E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 60.7V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 13.9 A; 最... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ5654AE3
SMCJ5654AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 64.1V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 14.6 A; ... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ5654A
SMCJ5654A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 64.1V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 14.6 A; 最大... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ5654
SMCJ5654, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 60.7V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 13.9 A; 最大反... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ5653E3
SMCJ5653E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 55.1V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 15.3 A; 最... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ5653AE3
SMCJ5653AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 58.1V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 16.3 A; ... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ5653A
SMCJ5653A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 58.1V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 16.3 A; 最大...