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【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6069
SMCJ6069, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 145V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.5 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6068E3
SMCJ6068E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 137V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.8 A; 最大反向漏... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6068AE3
SMCJ6068AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 145V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.1 A; 最大反向... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6068A
SMCJ6068A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 145V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.1 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6068
SMCJ6068, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 137V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.8 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6067E3
SMCJ6067E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 121V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.7 A; 最大反向漏... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6067AE3
SMCJ6067AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 128V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 7 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6067A
SMCJ6067A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 128V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 7 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6067
SMCJ6067, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 121V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.7 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6066E3
SMCJ6066E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 105V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 7.8 A; 最大反向漏... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6066AE3
SMCJ6066AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 110V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.8 A; 最大反向... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6066A
SMCJ6066A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 110V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.8 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6066
SMCJ6066, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 105V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 7.8 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6065E3
SMCJ6065E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 95V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 8.5 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6065AE3
SMCJ6065AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 100V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 8.9 A; 最大反向... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6065A
SMCJ6065A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 100V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 8.9 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6065
SMCJ6065, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 95V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 8.5 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6064E3
SMCJ6064E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 90V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.5 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6064AE3
SMCJ6064AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 94V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.9 A; 最大反向漏... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6064A
SMCJ6064A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 94V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.9 A; 最大反向漏电流...