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【三星贴片电容(MLCC)】CL31C151JBCNNWC
CL31C151JBCNNWC,网络应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值150 pF,电压50 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度0.85 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【三星贴片电容(MLCC)】CL31C151JBCNNND
CL31C151JBCNNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值150 pF,电压50 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度0.85 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF7457PBF-1
IRF7457PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=20V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRLMS1503PBF-1
IRLMS1503PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TSOP-6 (Micro 6)封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=100.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRLML2502TRPBF-1
IRLML2502TRPBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF8252PBF-1
IRF8252PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.7mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF7805ZPBF-1
IRF7805ZPBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.8mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF7805PBF-1
IRF7805PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF7455PBF-1
IRF7455PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,RDS(on) Max 10V=7.5mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF7456PBF-1
IRF7456PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,RDS(on) Max 10V=6.5mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRFHM8235
IRFHM8235,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.7mOhms,Id=50A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF1503S
IRF1503S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.3mOhms,Id=190A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRFH8325
IRFH8325,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.0mOhms,Id=82A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRLR6225
IRLR6225,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,Id=100A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRFH5302D
IRFH5302D,集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.5mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRFH5304
IRFH5304,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.5mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRFH5250D
IRFH5250D,集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.4mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRFH5302
IRFH5302,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.1mOhms,Id=100A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRFH5301
IRFH5301,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.85mOhms,Id=100A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRFH5306
IRFH5306,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.1mOhms,Id=45A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562