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【保护器件(TVS-ESD)】1N6115US
1N6115US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 18.2V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 15 A; 最大反向漏电流: ... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6125AUS
1N6125AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 47.1V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.9 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6135AUS
1N6135AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 121.6V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 2.3 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6465US
1N6465US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 24V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 69 A; 最大反向漏电流: ... -
【保护器件(TVS-ESD)】30KPA150CAE3
30KPA150CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 150V 30KW,品牌:Microsemi,封装:2P600,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 30000 W; 最大峰值脉冲电流: 129.8 A; 最大反向... -
【保护器件(TVS-ESD)】30KPA45AE3
30KPA45AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 45V 30KW,品牌:Microsemi,封装:2P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 30000 W; 最大峰值脉冲电流: 391.5 A; 最大反向漏... -
【保护器件(TVS-ESD)】DFLT15A-7
DFLT15A-7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single 15V 1.125KW,品牌:Diodes,封装:2PowerDI 123,参数:配置: Single; 峰值脉冲功率耗散: 1125 W; 最大峰值脉冲电流: 9.22 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 24.4 V; 最... -
【保护器件(TVS-ESD)】DFLT45A-7
DFLT45A-7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 45V 1.125KW,品牌:Diodes,封装:2PowerDI 123,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1125 W; 最大峰值脉冲电流: 3.1 A; 最大... -
【保护器件(TVS-ESD)】DFLT51A-7
DFLT51A-7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 51V 1.125KW,品牌:Diodes,封装:2PowerDI 123,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1125 W; 最大峰值脉冲电流: 2.73 A; 最... -
【保护器件(TVS-ESD)】DFLT5V0A-7
DFLT5V0A-7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5V 1.125KW,品牌:Diodes,封装:2PowerDI 123,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1125 W; 最大峰值脉冲电流: 24.5 A; 最... -
【保护器件(TVS-ESD)】DFLT6V5A-7
DFLT6V5A-7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6.5V 1.125KW,品牌:Diodes,封装:2PowerDI 123,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1125 W; 最大峰值脉冲电流: 20.1 A;... -
【保护器件(TVS-ESD)】DFLT7V5A-7
DFLT7V5A-7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7.5V 1.125KW,品牌:Diodes,封装:2PowerDI 123,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1125 W; 最大峰值脉冲电流: 17.4 A;... -
【保护器件(TVS-ESD)】DFLT8V5A-7
DFLT8V5A-7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8.5V 1.125KW,品牌:Diodes,封装:2PowerDI 123,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1125 W; 最大峰值脉冲电流: 15.6 A;... -
【保护器件(TVS-ESD)】MSP5.0A-M3/89A
MSP5.0A-M3/89A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5V 150W,品牌:Vishay,封装:2Micro SMP,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 150 W; 最大峰值脉冲电流: 75 A; 最大反向漏... -
【保护器件(TVS-ESD)】MSP5.0AHM3/89A
MSP5.0AHM3/89A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5V 150W,品牌:Vishay,封装:2Micro SMP,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 150 W; 最大峰值脉冲电流: 75 A; 最大反向漏... -
【保护器件(TVS-ESD)】UPTB5
UPTB5, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Directional 5V 1000W,品牌:Microsemi,封装:DO-216AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1000 W; 最大峰值脉冲电流: 15.7 A; 最大反... -
【保护器件(TVS-ESD)】UCLAMP2511T.TCT
UCLAMP2511T.TCT, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 2.5V 40W,品牌:Semtech,封装:2SLP1006P2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 40 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】UCLAMP2501T.TCT
UCLAMP2501T.TCT, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 2.5V 40W,品牌:Semtech,封装:2SLP,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 40 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电流: 0... -
【保护器件(TVS-ESD)】TVS528SM
TVS528SM, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single 28V 150W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 峰值脉冲功率耗散: 150 W; 最大峰值脉冲电流: 10.7 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 46.5 V; 最大反向关态电... -
【保护器件(TVS-ESD)】TVS524SM
TVS524SM, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single 24V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 11.9 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 24 V; 最大反向关态电压:...