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【保护器件(TVS-ESD)】1N5646A
1N5646A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 30.8V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 30 A; 最大反向漏电流: ... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N5647
1N5647, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 31.6V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 26.5 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N5647A
1N5647A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 33.3V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 28 A; 最大反向漏电流: ... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N5648A
1N5648A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 36.8V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 25.3 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N5649A
1N5649A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 40.2V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 23.2 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N5654A
1N5654A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 64.1V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 14.6 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N5664A
1N5664A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 154V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.1 A; 最大反向漏电流: ... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6040
1N6040, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8.5V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 93 A; 最大反向漏电流: 10 u... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6040A
1N6040A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 9V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 96 A; 最大反向漏电流: 10 uA... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6041
1N6041, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 9V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 87 A; 最大反向漏电流: 5 uA; ... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6041A
1N6041A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 10V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 90 A; 最大反向漏电流: 5 uA... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6042
1N6042, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 10V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 79 A; 最大反向漏电流: 5 uA;... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6042A
1N6042A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 11V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 82 A; 最大反向漏电流: 5 uA... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6043
1N6043, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 11V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 68 A; 最大反向漏电流: 5 uA;... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6043A
1N6043A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 71 A; 最大反向漏电流: 5 uA... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6044
1N6044, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 64 A; 最大反向漏电流: 5 uA;... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6044A
1N6044A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 13V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 67 A; 最大反向漏电流: 5 uA... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6045
1N6045, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 14V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 56.5 A; 最大反向漏电流: 5 u... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6045A
1N6045A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 15V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 59.5 A; 最大反向漏电流: 5 ... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6046
1N6046, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 16V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 51.5 A; 最大反向漏电流: 5 u...