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【保护器件(TVS-ESD)】P4KE12D-E3
P4KE12D-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10.2V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-41,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 24.2 A; 最大反向漏电流: ... -
【保护器件(TVS-ESD)】P4KE11D-E3
P4KE11D-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 9.4V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-41,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 26.1 A; 最大反向漏电流: 5... -
【保护器件(TVS-ESD)】P4KE10D-E3
P4KE10D-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8.55V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-41,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 28 A; 最大反向漏电流: 10... -
【保护器件(TVS-ESD)】15KPA40CAE3
15KPA40CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 40V 15KW,品牌:Microsemi,封装:2P600,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 15000 W; 最大峰值脉冲电流: 229.5 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】15KPA43CAE3
15KPA43CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 43V 15KW,品牌:Microsemi,封装:2P600,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 15000 W; 最大峰值脉冲电流: 216.3 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】15KPA48CAE3
15KPA48CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 48V 15KW,品牌:Microsemi,封装:2P600,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 15000 W; 最大峰值脉冲电流: 194.3 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6104AUS
1N6104AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6.2V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 41.3 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6104US
1N6104US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6.2V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 41.3 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6114AUS
1N6114AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 16.7V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 16.4 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6114US
1N6114US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 16.7V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 16.4 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6124AUS
1N6124AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 42.6V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.5 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6124US
1N6124US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 42.6V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.5 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6134AUS
1N6134AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 114V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 2.4 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6461US
1N6461US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 315 A; 最大反向漏电流: ... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6462US
1N6462US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 258 A; 最大反向漏电流: ... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6463US
1N6463US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 125 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6464US
1N6464US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 107 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6465US
1N6465US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 24V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 69 A; 最大反向漏电流: ... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6466US
1N6466US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 30.5V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 63 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6467US
1N6467US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 40.3V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 45 A; 最大反向漏电流...