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【N沟道场效应管】IRFB38N20D
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【N沟道场效应管】IRF1310N
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【N沟道场效应管】IRLI530N
IRLI530N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220 FullPak (Iso)封装,参数为:VBrds=100V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=100.0mOhms,Id=11A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRFB33N15D
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【N沟道场效应管】IRFB23N20D
IRFB23N20D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=100.0mOhms,Id=24A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRFU3410
IRFU3410,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=39.0mOhms,Id=31A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRFP3415
IRFP3415,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=42.0mOhms,Id=43A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF3710Z
IRF3710Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=18.0mOhms,Id=59A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF3710ZL
IRF3710ZL,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=18.0mOhms,Id=59A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRL530N
IRL530N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=100.0mOhms,Id=17A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRFI530N
IRFI530N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220 FullPak (Iso)封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=110.0mOhms,Id=11A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRFR3411
IRFR3411,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=44.0mOhms,Id=32A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRFB31N20D
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【N沟道场效应管】IRF630N
IRF630N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=300.0mOhms,Id=9.5A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRFP3710
IRFP3710,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=25.0mOhms,Id=51A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF3415
IRF3415,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=42.0mOhms,Id=43A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF530N
IRF530N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=90.0mOhms,Id=17A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF3710
IRF3710,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=23.0mOhms,Id=57A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRFB23N15D
IRFB23N15D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=150V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=90.0mOhms,Id=23A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【三星贴片电容(MLCC)】CL31C151JHFNNNE
CL31C151JHFNNNE,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值150 pF,电压630 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.25 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562