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【稳压二极管】AZ23C27W
AZ23C27W,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SMD封装,参数为:Pd=200mW,Nom=27V,Min=25.1V,Max=28.9V,Zzt=80欧姆,Zzk=250欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【稳压二极管】AZ23C2V7
AZ23C2V7,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=2.7V,Min=2.5V,Max=2.9V,Zzt=83欧姆,Zzk=500欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【稳压二极管】AZ23C2V7W
AZ23C2V7W,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-323封装,参数为:Pd=200mW,Nom=2.7V,Min=2.5V,Max=2.9V,Zzt=83欧姆,Zzk=500欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【稳压二极管】AZ23C30
AZ23C30,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=30V,Min=28V,Max=32V,Zzt=80欧姆,Zzk=250欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【稳压二极管】AZ23C30W
AZ23C30W,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SMD封装,参数为:Pd=200mW,Nom=30V,Min=28V,Max=32V,Zzt=80欧姆,Zzk=250欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【稳压二极管】AZ23C33
AZ23C33,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=33V,Min=31V,Max=35V,Zzt=80欧姆,Zzk=250欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【稳压二极管】AZ23C33W
AZ23C33W,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-323封装,参数为:Pd=200mW,Nom=33V,Min=31V,Max=35V,Zzt=80欧姆,Zzk=250欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【稳压二极管】AZ23C36
AZ23C36,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=36V,Min=34V,Max=38V,Zzt=90欧姆,Zzk=250欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【稳压二极管】AZ23C36W
AZ23C36W,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-323封装,参数为:Pd=200mW,Nom=36V,Min=34V,Max=38V,Zzt=90欧姆,Zzk=250欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【稳压二极管】AZ23C39
AZ23C39,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=39V,Min=37V,Max=41V,Zzt=90欧姆,Zzk=300欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【稳压二极管】AZ23C39W
AZ23C39W,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-323封装,参数为:Pd=200mW,Nom=39V,Min=37V,Max=41V,Zzt=90欧姆,Zzk=300欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRL3713S
IRL3713S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.0mOhms,Id=200A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRL7833S
IRL7833S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.8mOhms,Id=150A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRFHM8329
IRFHM8329,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.1mOhms,Id=57A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRFH8307
IRFH8307,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.3mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRFH8316
IRFH8316,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.95mOhms,Id=120A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRFH8321
IRFH8321,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.9mOhms,Id=83A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF6893M
IRF6893M,集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=25V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=1.6mOhms,Id=168A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRFH8311
IRFH8311,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.1mOhms,Id=169A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRFTS8342
IRFTS8342,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TSOP-6 (Micro 6)封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=19.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562