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【三星贴片电容(MLCC)】CL10B823KO8NNNC
CL10B823KO8NNNC,通用X7R电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值82 nF,电压16 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-10 %.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【三星贴片电容(MLCC)】CL10B683KO8NNNC
CL10B683KO8NNNC,通用X7R电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值68 nF,电压16 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-10 %.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【三星贴片电容(MLCC)】CL31C151KBCNBNC
CL31C151KBCNBNC,排容C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值150 pF,电压50 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度0.85 mm,精度± 10 %.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【三星贴片电容(MLCC)】CL31C151JCCNNNC
CL31C151JCCNNNC,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值150 pF,电压100 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度0.85 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【三星贴片电容(MLCC)】CL31C151JBCNNWC
CL31C151JBCNNWC,网络应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值150 pF,电压50 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度0.85 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【三星贴片电容(MLCC)】CL31C151JBCNNND
CL31C151JBCNNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值150 pF,电压50 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度0.85 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRFH8334PBF-1
IRFH8334PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9mOhms,Id=44A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF3717PBF-1
IRF3717PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=20V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.4mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRLB8314
IRLB8314,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.4mOhms,Id=171A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRLML0030PBF-1
IRLML0030PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=27.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRLMS1503PBF-1
IRLMS1503PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TSOP-6 (Micro 6)封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=100.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF8113PBF-1
IRF8113PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.6mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF7831PBF-1
IRF7831PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,RDS(on) Max 10V=3.6mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRLS3813
IRLS3813,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.95mOhms,Id=247A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRL6283M
IRL6283M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MD封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,RDS(on) Max 10V=0.75mOhms,Id=211A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRFHM4231
IRFHM4231,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.4mOhms,Id=72A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF8736PBF-1
IRF8736PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.8mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRLML2803TRPBF-1
IRLML2803TRPBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=250.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF7832PBF-1
IRF7832PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF7413PBF-1
IRF7413PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=11.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562