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【保护器件(TVS-ESD)】MMAD1103/TR13
MMAD1103/TR13,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Microsemi,封装:SOIC-14,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:14; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:8; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大工作电压:... -
【保护器件(TVS-ESD)】MMAD1103E3/TR13
MMAD1103E3/TR13,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Microsemi,封装:SOIC-14,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:14; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:8; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大工作电... -
【保护器件(TVS-ESD)】MMAD1108/TR13
MMAD1108/TR13,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Microsemi,封装:SOIC-16,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:16; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:8; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大工作电压:... -
【保护器件(TVS-ESD)】MMAD1108E3/TR13
MMAD1108E3/TR13,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Microsemi,封装:SOIC-16,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:16; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:8; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大工作电... -
【保护器件(TVS-ESD)】MMBZ15VDLT3G
MMBZ15VDLT3G,稳压型ES抑制器,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:Zener; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional|Bi-Directional; 最大钳位电压:21.2 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:16@HBM KV; 最大工作电压:12.8 V; 最大... -
【保护器件(TVS-ESD)】NUP1301,215
NUP1301,215,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:20 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:30@Contact Disc/10@HBM/0.4@MM ... -
【保护器件(TVS-ESD)】NUP1301ML3T1G
NUP1301ML3T1G,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大工作电压:70 V; 最... -
【保护器件(TVS-ESD)】NUP1301U,115
NUP1301U,115,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:20 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:30@Contact Disc/10@HBM/0.4@MM kV... -
【保护器件(TVS-ESD)】NUP2301MW6T1G
NUP2301MW6T1G,ESD静电抑制器,品牌:ON,封装:SC-88-6,参数:引脚数量:6; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大工作电压:70 V; 最大漏电流:2.5 uA; 电容值:3 pF; 最低工作温度:-55 ℃; 最大工作温度:15... -
【保护器件(TVS-ESD)】NUP4302MR6T1G
NUP4302MR6T1G,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:ON,封装:TSOP-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:16(Min)@HBM kV; 最大工作电压:30 V; 最大漏电流:30 uA; 电容值:... -
【保护器件(TVS-ESD)】PESD0603-240
PESD0603-240,ESD静电抑制器,品牌:TE,封装:Box-2,参数:引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:45(Typ) V; ESD保护电压:25@Air Gap/15@Contact Disc KV; 最大工作电压:24 V; 最大漏电流:10 uA; 电容值:0.25... -
【保护器件(TVS-ESD)】PESD3V3L2UM,315
PESD3V3L2UM,315,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:NXP,封装:DFN-3,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional|Bi-Directional; 最大钳位电压:13 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:15@Contact Disc/... -
【保护器件(TVS-ESD)】PESD3V3S2UQ,115
PESD3V3S2UQ,115,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:NXP,封装:SOT-663-3,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional|Bi-Directional; 最大钳位电压:20 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:30@Contact D... -
【保护器件(TVS-ESD)】PESD3V3S5UD,115
PESD3V3S5UD,115,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:NXP,封装:TSOP-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:12 V; 每芯片单元数目:5; ESD保护电压:30@Contact Disc/10@HBM kV; 最大工... -
【保护器件(TVS-ESD)】PESD3V3S5UD,125
PESD3V3S5UD,125,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:NXP,封装:TSOP-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:12 V; 每芯片单元数目:5; ESD保护电压:30@Contact Disc/10@HBM kV; 最大工... -
【保护器件(TVS-ESD)】PESD3V3V4UW,115
PESD3V3V4UW,115,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:NXP,封装:SOT-665-5,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:5; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:11 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:12@Contact Disc/10@HBM kV; ... -
【保护器件(TVS-ESD)】PESD5V0L2UM,315
PESD5V0L2UM,315,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:NXP,封装:DFN-3,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional|Bi-Directional; 最大钳位电压:15 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:15@Contact Disc/... -
【保护器件(TVS-ESD)】PESD5V0U2BM,315
PESD5V0U2BM,315,ESD静电抑制器,品牌:NXP,封装:DFN-3,参数:引脚数量:3; 方向类型:Bi-Directional; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:10@Contact Disc/8@HBM kV; 最大工作电压:5 V; 最大漏电流:0.1 uA; 电容值:3.5 pF; 最低工作... -
【保护器件(TVS-ESD)】PESD5V0X1BCL,315
PESD5V0X1BCL,315,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:NXP,封装:SOD-882-2,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:18 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:8@Contact Disc/10@HBM/0.4@M... -
【保护器件(TVS-ESD)】PRTR5V0U2AX,235
PRTR5V0U2AX,235,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:NXP,封装:SOT-143B-4,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:4; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:12@Contact Disc kV; 最大工作电压:5.5 V; 最大漏电流...