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【保护器件(TVS-ESD)】SMBJ22E3
SMBJ22E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 22V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 15.2 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMBJ22CE3
SMBJ22CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 22V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 15.2 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMBJ22CAE3
SMBJ22CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 22V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 16.9 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMBJ22CA-M3
SMBJ22CA-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 22V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 16.9 A; 最大反向漏电流: ... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMBJ22AE3
SMBJ22AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 22V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 16.9 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMBJ220E3
SMBJ220E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Su... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMBJ220CE3
SMBJ220CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Sur... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMBJ220CAE3
SMBJ220CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Su... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMBJ220AE3
SMBJ220AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: S... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMBJ20E3
SMBJ20E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 20V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 16.7 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMBJ20CE3
SMBJ20CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 20V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 16.7 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMBJ20CAE3
SMBJ20CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 20V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 18.5 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMBJ20AE3
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【保护器件(TVS-ESD)】SMBJ200E3
SMBJ200E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Su... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMBJ200CE3
SMBJ200CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Sur... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMBJ200CAE3
SMBJ200CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Su... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMBJ200AE3
SMBJ200AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: S... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMBJ18E3
SMBJ18E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 18V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 18.6 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMBJ18CE3
SMBJ18CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 18V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 18.6 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMBJ18CAE3
SMBJ18CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 18V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 20.5 A; 最大反向漏电流...