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【保护器件(TVS-ESD)】SMBJ64AE3
SMBJ64AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 64V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 5.8 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMBJ60E3
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【保护器件(TVS-ESD)】SMBJ60CE3
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【保护器件(TVS-ESD)】SMBJ60CAE3
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【保护器件(TVS-ESD)】SMBJ60AE3
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【保护器件(TVS-ESD)】SMBJ6.5E3
SMBJ6.5E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6.5V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 48.7 A; 最大反向漏... -
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【保护器件(TVS-ESD)】SMBJ6.0E3
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【保护器件(TVS-ESD)】SMBJ58E3
SMBJ58E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 58V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 5.8 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMBJ58CE3
SMBJ58CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 58V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 5.8 A; 最大反向漏电流: ... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMBJ58CAE3
SMBJ58CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 58V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 6.4 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMBJ58AE3
SMBJ58AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 58V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 6.4 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMBJ54E3
SMBJ54E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 54V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 6.2 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMBJ54CE3
SMBJ54CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 54V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 6.2 A; 最大反向漏电流: ... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMBJ54CAE3
SMBJ54CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 54V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 6.9 A; 最大反向漏电流:...