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【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6059E3
SMCJ6059E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 55V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 15.3 A; 最大反向漏... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6059AE3
SMCJ6059AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 58V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 16.3 A; 最大反向... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6058E3
SMCJ6058E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 48V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 16.9 A; 最大反向漏... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6058AE3
SMCJ6058AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 53V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 17.7 A; 最大反向... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6057E3
SMCJ6057E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 45V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 18.6 A; 最大反向漏... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6057AE3
SMCJ6057AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 47V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 19.5 A; 最大反向... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6056E3
SMCJ6056E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 41V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 20.4 A; 最大反向漏... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6056AE3
SMCJ6056AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 43V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 21.4 A; 最大反向... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6055E3
SMCJ6055E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 38V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 22.2 A; 最大反向漏... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6055AE3
SMCJ6055AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 40V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 23.2 A; 最大反向... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6054E3
SMCJ6054E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 34V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 24 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6054AE3
SMCJ6054AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 36V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 25.3 A; 最大反向... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6053E3
SMCJ6053E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 31V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 26.5 A; 最大反向漏... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6053AE3
SMCJ6053AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 33V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 28 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6053A
SMCJ6053A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 33V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 28 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6053
SMCJ6053, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 31V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 26.5 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6052E3
SMCJ6052E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 29V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 29 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6052AE3
SMCJ6052AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 30V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 30 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6051E3
SMCJ6051E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 26V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 31.5 A; 最大反向漏... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMCJ6051AE3
SMCJ6051AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 28V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 33 A; 最大反向漏电...